07年NAND闪存需求翻倍
时间：2014-06-09 14:04:18
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[导读]【导读】07年NAND闪存需求翻倍
4月20日，“Flashtopia by Samsung”大会在广东深圳举行。会上，三星半导体部门数位副总裁以及多名三星市场人士或工程师分别发表演讲，向受邀的61家共计350余人次的客户及代理
【导读】07年NAND闪存需求翻倍
4月20日，“Flashtopia by Samsung”大会在广东深圳举行。会上，三星半导体部门数位副总裁以及多名三星市场人士或工程师分别发表演讲，向受邀的61家共计350余人次的客户及代理商人士介绍了三星的产品方案及最新技术，并对未来几年的闪存市场的发展做出了分析和预测。
这是三星首次举办以“Flashtopia”为主题的活动。据介绍，去年三星成功研制40nm工艺的32Gbit NAND Flash产品时，提出了“Flashtopia”的概念，取义为“Flash Utopia”，即“闪存乌托邦”，意为用最新闪存技术创造完美的数字消费生活。三星深圳分公司市场部人士透露，以“Flashtopia”为主题的会议将在未来的几年连续举办，本次选择深圳作为首届会址，是因为华南地区聚集了许多三星的客户，并拥有强大的制造实力。
“07年NAND闪存需求翻倍，供货稍逊”
三星对NAND市场持有相当乐观的态度，NAND产品部高级市场经理J.J.KIM在演讲时援引SEC Marketing的数据表示，2007年全球手机出货量将超过10亿台，较06年增长10%，由于i-Phone将在今年5月实现量产，全球大手机厂商会对i-Phone全力阻击，手机内存容量将被提升至4GB以上，此举将给NAND内存市场带来5%的增长。
另据预测，2007年，便携式多媒体终端设备（包括手持导航设备）出货量将达到4100万部（2006年为2600万部），其中近7成将采用NAND闪存作为存储方式，这将加大NAND闪存的市场需求，预计2008年之前，NAND的需求将比2007年第一季度翻倍。
J.J.KIM同时表示，由于今年有些企业将部分精力转移至DRAM，NAND晶圆生产能力的不足，以及基于多层单元（MLC）技术的NAND产品上市时间的一再延迟，将可能导致2007年下半年NAND闪存供货无法满足市场需求的现象出现。
“MLC NAND产品从16Gbit开始领先业界”
三星在会上还展出了移动处理器芯片的多种解决方案，以及基于NAND/Nor技术的产品，其中，曾在IIC China 2007展深圳站出现的“世界第一款”40nm工艺32Gbit NAND闪存和12英寸晶圆再次被展出。
对于在计算机消费产品上向来喜欢争“World First”的三星而言，此次会议再次强调了该公司在内存领域的地位。三星宣称在基于单层单元（SLC）技术的NAND产品上，领先对手一年，而对于被认为是三星软肋的基于多层单元（MLC）技术的NAND产品，三星亦表示自2007年第二季度以来，三星已凭借其51nm工艺16Gbit MLC技术领先所有竞争对手。
三星NAND应用工程师S.C.Kwon介绍，三星目前已经做好了量产50nm 工艺NAND闪存的准备，40nm工艺的产品有望在2008年第三季度实现量产。英特尔日前宣布将于2007年下半年实现50nm工艺 NAND闪存的量产，并将于2008年达到35nm工艺，这对于在NAND闪存领域领先的三星而言是否为一个威胁（三星预计2008年实现40nm工艺），该名工程师表示“我是工程师，不是市场人员，不便评价”。
这是三星首次举办以“Flashtopia”为主题的活动。据介绍，去年三星成功研制40nm工艺的32Gbit NAND Flash产品时，提出了“Flashtopia”的概念，取义为“Flash Utopia”，即“闪存乌托邦”，意为用最新闪存技术创造完美的数字消费生活。三星深圳分公司市场部人士透露，以“Flashtopia”为主题的会议将在未来的几年连续举办，本次选择深圳作为首届会址，是因为华南地区聚集了许多三星的客户，并拥有强大的制造实力。
“07年NAND闪存需求翻倍，供货稍逊”
三星对NAND市场持有相当乐观的态度，NAND产品部高级市场经理J.J.KIM在演讲时援引SEC Marketing的数据表示，2007年全球手机出货量将超过10亿台，较06年增长10%，由于i-Phone将在今年5月实现量产，全球大手机厂商会对i-Phone全力阻击，手机内存容量将被提升至4GB以上，此举将给NAND内存市场带来5%的增长。
另据预测，2007年，便携式多媒体终端设备（包括手持导航设备）出货量将达到4100万部（2006年为2600万部），其中近7成将采用NAND闪存作为存储方式，这将加大NAND闪存的市场需求，预计2008年之前，NAND的需求将比2007年第一季度翻倍。
J.J.KIM同时表示，由于今年有些企业将部分精力转移至DRAM，NAND晶圆生产能力的不足，以及基于多层单元（MLC）技术的NAND产品上市时间的一再延迟，将可能导致2007年下半年NAND闪存供货无法满足市场需求的现象出现。
“MLC NAND产品从16Gbit开始领先业界”
三星在会上还展出了移动处理器芯片的多种解决方案，以及基于NAND/Nor技术的产品，其中，曾在IIC China 2007展深圳站出现的“世界第一款”40nm工艺32Gbit NAND闪存和12英寸晶圆再次被展出。
对于在计算机消费产品上向来喜欢争“World First”的三星而言，此次会议再次强调了该公司在内存领域的地位。三星宣称在基于单层单元（SLC）技术的NAND产品上，领先对手一年，而对于被认为是三星软肋的基于多层单元（MLC）技术的NAND产品，三星亦表示自2007年第二季度以来，三星已凭借其51nm工艺16Gbit MLC技术领先所有竞争对手。
三星NAND应用工程师S.C.Kwon介绍，三星目前已经做好了量产50nm 工艺NAND闪存的准备，40nm工艺的产品有望在2008年第三季度实现量产。英特尔日前宣布将于2007年下半年实现50nm工艺 NAND闪存的量产，并将于2008年达到35nm工艺，这对于在NAND闪存领域领先的三星而言是否为一个威胁（三星预计2008年实现40nm工艺），该名工程师表示“我是工程师，不是市场人员，不便评价”。
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