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[导读]【导读】全球半导体材料市场调查:2010年将达到4.11万亿日元 富士经济公布了半导体材料全球市场的调查结果以及未来预测。2006年半导体材料的市场规模比上年增加16.9%,达到3.21万亿日元。从不同领域看,份额

【导读】全球半导体材料市场调查:2010年将达到4.11万亿日元

 
    富士经济公布了半导体材料全球市场的调查结果以及未来预测。2006年半导体材料的市场规模比上年增加16.9%,达到3.21万亿日元。从不同领域看,份额最大是占全体37%的“半导体晶圆”市场,达到1.18万亿日元。其次是占23%的“封装相关”市场,达到7430亿日元,然后是占12%的“光刻相关”市场,达到3860亿日元。预计2012年的材料市场总体将比2006年增加28.0%,达到4.11万亿日元。  

    按半导体材料市场面向前工序或后工序来看,2006年的前工序材料市场,占半导体材料市场总体的6成以上,达到2.75万亿日元,后工序材料市场达到1.1346万亿日元。富士经济预计,2012年前工序材料市场将比2006年增加27.4%,达到2.644万亿日元,后工序材料市场将同比增加29.5%,达到1.4692万亿日元。 

    电容器用高介电质材料2012年将增至3倍 
    富士经济指出未来3大引人注目市场是:高介电质材料、NF3以及各向异性导电薄膜。2006年的电容器用高介电质材料市场比上年增加30.0%,达到65亿日元。电容器用高介电质材料是指电容器用绝缘膜中采用的、比过去的SiO2和Si3N4介电率更高的材料。2012年的市场规模将比2006年增加192.3%,达到190亿日元。该材料已从研究开发阶段真正进入到批量生产化阶段,销量也逐年增加。回顾2006年的需求,安装微软新操作系统“Windows Vista”的个人电脑和支持任天堂的新一代游戏机“Wii”用的DRAM均采用了该材料。2007年以后,DRAM和闪存也将增产,尔必达内存和台湾力晶半导体的合营公司将会进行大规模投资等,因此需求有望进一步扩大。 
 
    温室气体排放量限制,NF3市场急剧增长 
    由于温室气体的排放量限制,NF3(三氟化氮)市场急剧增长。NF3代替SF6(六氟化硫),被用于等离子CVD(化学气相沉积)装置中使用的室内洗涤用气体。2006年的市场规模比上年增加16.3%,达到500亿日元,供货量达到3850吨。预计2012年,与2006年相比将增加68%,达到840亿日元。受半导体和液晶面板需求扩大影响,以年均10%以上的比例增长。按不同地域看,包括日本在内,亚洲的消费量最大,日本市场的规模达到86亿日元,在650吨左右。由于300mm晶圆半导体和液晶面板的生产,韩国和台湾的需求也非常大。 

    液晶面板需求扩大 各向异性导电薄膜增长 
    由于液晶面板的驱动IC需求等原因,各向异性导电薄膜(ACF)市场持续扩大。2006年的市场规模比上年增加13.1%,达到950亿日元。预计到2012年将比2006年增加47.4%,达到1400亿日元。日本厂商占到市场份额的一半以上。据估计,特别是居首位的制造商日立化成工业、索尼化学情报设备2家公司将占到销售数量的92%。

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