台积电公布开发蓝图 “45nm的量产有望07年Q3开始”

【导读】台积电公布开发蓝图 “45nm的量产有望07年Q3开始”  
    台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）在日本横浜市举行了记者招待会，披露了其技术开发蓝图以及针对日本市场的措施。台积电的孙元成（研究暨发展副总经理 ）宣布45nm量产将从2007年第3季度开始。最初将采用限定式生产（risk production，风险生产）方式，2008年下半年有可能开始正式量产。  

    在45nm工艺方面，台积电打算在大致相同的时期开始量产逻辑、混合信号（模拟数字混载）、混载DRAM。台积电的45nm工艺拟使用栅极长度为26nm的晶体管。6晶体管构造的混载SRAM的存储器单元面积在0.3μm2以下。标准单元的栅极密度为160万栅极/mm2左右。布线层能够支持最大10层。孙元成对更先进工艺的开发也表达了自己的看法：“45nm之后的32nm、22nm也能以与以前相同的速度，即2年1代的速度实现微细化”。  

    希望为日本半导体的复兴做出贡献  

    日本TSMC董事长马场久雄披露了开拓日本市场的基本方针。第一项方针是为日本半导体产业的复兴做出贡献。据马场久雄透露，1988年全球半导体市场上日本企业所占比率为52％，而2005年则降至21％。“如果把日本IDM（集成元件制造商）的产品开发实力与台积电的生产能力结合在一起，日本半导体产业的复兴是有可能的”（马场久雄）。  

    第二项方针是对日本无工厂（Fabless）半导体厂商的支援。据马场久雄透露，在全球无工厂半导体厂商的整体销售额中日本企业所占比率仅为1％。虽然上升幅度很小，但日本TSMC销售额中无工厂半导体业务所占比率正在上升。2006年第1季度已达到3％左右。