创意电子与Credo共同合作，投入 16 纳米 FinFET+ 芯片开发

弹性客制化 IC 领导厂商 (Flexible ASIC LeaderTM) 创意电子 (GUC) 与全球高速串联解串器 (High-speed SerDes) 创新技术的领导者 Credo，于今日宣布，双方运用台积电 (TSMC) 的 16纳米 FinFET+ 制程技术，共同合作开发高性能网络芯片设计解决方案。两家公司携手合作，结合创意电子的后端设计服务专业以及Credo的 28G 与 56G SerDes IP，共同开发以台积电的 16纳米 FF+ 制程技术为基础的解决方案。

创意电子总裁赖俊豪表示：「我们与Credo携手合作，在高阶制程技术上共同解决高性能装置设计相关的复杂问题，是一套相当独特的方法，能为未来半导体产业树立新标准、新典范。」

双方公司在高阶制程技术上携手合作，期望可大幅提升芯片整合性、缩短设计周期，并针对广泛运用于交换器、路由器及其他网络硬件上的网络芯片，降低其功耗。

Credo总裁暨执行长 Bill Brennan 表示：「我们与创意电子密切合作，以确保本公司的 28G 及 56G SerDes IP 能与创意电子的 16奈米 FF+ SOC平台整合，并且在整合过程中平顺流畅。我们相信藉由彼此携手合作将可达成一次完成芯片设计的目标以满足客户需求，并促使 100G 与 400G 的企业网络和数据中心加快采用 16FF+ ASIC。」

传统上，由于先进制程技术缺乏可用的低功率及高性能 SerDes，网络装置均依赖增加宽通道数来实现所需的带宽与系统输出量。Credo是率先供应 56G SerDes IP 解决方案的公司，比10G SerDes IP快五倍，所提供的技术能大幅减少通道数量、芯片体积并降低功耗，解决网络装置盲目依赖增加宽通道，用来实现所需与系统输出量问题。