分析：半导体设备和材料未来替代空间广阔

2015年，前五大供应商占市场份额的76.8%，前十大供应商占据了93.6%的市场份额，市场集中度高。值得注意的是，十大厂商中多数为美国和日本企业，国内厂商在这块差距仍然较大。从半导体主要制造设备看来，光刻机、刻蚀机、化学气相沉积(CVD)市场都为国外厂商占据。同时，也说明中国半导体设备市场存在巨大替代空间，且由于需求驱动，主要设备后续需求有望持续，维持良好增长势头。

国内半导体设备替代空间广阔

当前大陆半导体设备和材料的需求大幅增长，大陆半导体进入生产线密集建设期，目前在建或计划建设的半导体晶圆投资项目总额已达800亿美元，将需求约600亿美元的设备，而材料的需求也随之增加。预计2020年，大陆半导体设备和材料年需求规模将超过200亿美元。

在需求上行的推动下，预计晶圆设备市场有望开始恢复成长趋势，设备产能利用率也有望逐步回升，前期的高库存也将有望显著降低。此外，在国家半导体扶持政策推动下，国内有望实现爆发式增长。近几年国内的半导体设备和材料产业已取得长足进步，逐步实现从低端向高端替代。刻蚀机、PVD、先进封装光刻机等设备，靶材、电镀液等材料，不仅满足国内市场的需求，还获得国际一流客户的认可，远销海外市场。半导体设备和材料的国产化程度不断提升，龙头企业受益半导体产业发展大机遇。

继三星发布了UFS 2.0高速储存卡之后，美光日前发布了全球首个手机3D闪存。闪存科技快速发展折射出当前对于高科技芯片的广阔需求。今年以来，由于下游需求旺盛，半导体设备订单密集增加。当前半导体设备和材料的国产化程度不断提升，龙头企业受益半导体产业发展大机遇，值得投资者关注。

美光发布手机3D闪存

日前，在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上，美光公布了首款3D NAND闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据报道，这款3D闪存芯片与传统的2D NAND水平排布储存单元不同，3D NAND使用垂直的方式排布储存单元，这种排布方式不但可以增加闪存的容量，又能让芯片与处理器通讯变快。单个容量为32GB，采用全新UFS 2.1标准，读取速度达到1.5GB/s，写入接近500MB/s，是目前UFS2.0的2倍。未来中高端手机上将会采用这种3D闪存芯片，对手机市场来说又是一波新的换机潮，毕竟谁都想要速度更快，储存容量更大的手机。

其实闪存科技快速发展折射出当前对于高科技芯片的广阔需求，这也是今年半导体市场的缩影。今年以来，由于下游需求旺盛，半导体设备订单密集增加，预计全年将取得出色成绩。另外，半导体设备主要集中在制造和封测端，晶圆制造设备依旧是半导体设备中占绝对地位的设备，在2015年晶圆制造设备销售额达到约286.7亿美元，占比达到78.74%。中国半导体制造设备增长迅速，目前已经达到全球增速最快的市场，且下游需求良好，前景可期。