关于存储芯片，我们中国还得看自己！

日本东芝原本是一心想着，自己能顺顺利利地，尽早地完成转型升级，希望自己在全球核电市场中大放异彩。然而，超出了东芝预料的是，自从东芝控股了美国西屋电气之后，似乎就给自己引来了不祥之兆。一些中国网友在网上留言：“东芝玩不过美国人。”

早在1875年，东芝即在日本诞生。从二十世纪80年代开始，东芝成功实现了转型升级，从一家以重型电机和家用电器为主业的科技企业，转变为了一家在全球IT行业中名气甚高的科技企业。作为一家有着一百多年发展历史的科技企业，东芝却被“核电坑了”?于是，东芝忍痛割爱，不得不决定分拆自己的存储芯片业务(独立为“东芝存储公司”)，以卖给全球其他科技企业等。中国富士康有诚意帮助东芝摆脱日益严峻的经营困境(买下东芝存储公司的部分或者全部股权)。日本政府又觉得，富士康来自中国，东芝把东芝存储公司卖给美国一些科技企业等更为“安全”。若用一个成语来说时下的东芝，“一波三折”倒是很合适。

东芝存储公司为何成了全球许多科技企业等竞相垂诞的“香饽饽”?那是因为，全球NAND闪存芯片市场至今是被韩国三星、韩国海力士、美国美光、美国英特尔和东芝等少数科技企业垄断。NAND闪存芯片在全球市场中的重要性毋庸再说。事实上，一年下来，全球大约一半的存储芯片产能是被中国消耗的。

好了，接下来调转到另一个和存储芯片相关的话题。

日前，根据中国台湾电子时报报道：清华紫光旗下的长江存储科技公司(前身是“武汉新芯科技公司”，下文简称为“长江存储”)，在2016年时在中国湖北省武汉市，耗资数百亿美元建设国家级存储芯片基地。其中，这一投建项目的首期工程便是为量产3D NAND闪存芯片做准备。2019年，长江存储量产3D NAND闪存芯片，2020年之后，长江存储很可能在“技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平”。

长江存储正在研发的，是32层堆栈的3D NAND闪存芯片，对比中国之外的同行业已研发出或者正在研发的3D NAND闪存芯片，国产3D NAND闪存芯片在技术方面的起点不算低。长江存储CEO杨士宁对外称，国产3D NAND闪存芯片由长江存储和中科院微电子所联合研发。长江存储在实验室中研发出国产3D NAND闪存芯片只是第一步，之后能否按自己制定好的计划，量产3D NAND闪存芯片，是尤为关键的第二步。

在中国，有一位行内人士认为：“中国需要有那么几家科研实力雄厚的存储公司，打入全球存储芯片市场。我们不用高看日本东芝闪存，中国更多的是需要靠自己。”