院士郝跃：我国半导体发展缺乏“从0到1”的原始创新

2018年11月7-8日，第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会在上海召开，本届会议旨在加强全国各相关领域研究队伍的交流、提供学术界与产业界相互分享最新研究成果的机会，推动我国先进电子材料与器件的发展，促进杰出青年科学家的迅速成长和协同创新。

会议同时邀请到了中国科学院院士、西安电子科技大学副校长郝跃，国家自然基金委、复旦大学、中国科学院上海技术物理研究所、中国科学院上海微系统所、南京大学、清华大学、西安电子科技大学、中科院苏州纳米所、南京工业大学、北京大学、湖南大学、山西师范大学等众多专家学者。各位专家聚焦于当前半导体材料和器件的研究热点，分享各自最新的研究成果。

会上，国家自然基金委员会信息学部主任、中国科学院院士郝跃做了题为“从第三代半导体进展谈我国核心电子器件发展”的大会报告。郝院士首先回顾了从“十一五”到“十三五”以来，国家在核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品(简称“核高基”)领域的战略部署，以及我国半导体与集成电路产业的发展现状。

郝院士指出，经过多年的发展，我国半导体与集成电路产业取得了长足的进步，并一跃成为全世界最大的集成电路消费市场，在个别技术领域甚至具备了与国际同行并行的趋势。但总体而言，我国半导体与集成电路产业跟美、日、欧相比仍存在较大的差距，“中兴事件”给了我们一次深刻的警示，表明我国高端通用芯片仍然受制于人，在关乎国防安全和国民经济的关键技术领域创新能力不足，尤其是缺乏“从0到1”的原始创新，企业更多的将资源聚焦在应用技术层面和产业化方面，形象的来说就是“从1到10”或“从1到n”的工作，“大而不强”，而创新驱动显得尤为重要。

据悉，本次大会由泰克公司携手复旦大学，联合南京大学、中科院上海技术物理研究所、中国科学院纳米中心共同举办，作为全球领先的测试、测量和监测应用领域的电子内容监控解决方案提供商，泰克公司展示了其半导体材料器件表征及可靠性实验平台及测试验证方案的能力，介绍了其4200A在助力高校半导体材料及器件研究的发展以及新技术应用的案例，例如，帮助美国佐治亚理工大学Graham Lab实验室实现宽禁带半导体电子器件的可靠性分析研究，帮助伯克利实验室实现30倍测试时间的缩短等。

据悉，此次第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会”吸引了来自各个相关领域的科技人才、研究队伍、知名学者以及产业界和学术界的共同关注，受到了一致好评，为研究机构与企业的强强联合，深化产学研的合作搭建了全球领先的一流平台。