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[导读]近日,IP公司力旺电子旗下的OTP存储器硅智财NeoFuse按照预期已经成功导入华邦电25纳米DRAM制程平台,这一措施的实现,将对未来有很大影响,也将推动存储器行业、半导体行业的快速发展。

近日,IP公司力旺电子旗下的OTP存储器硅智财NeoFuse按照预期已经成功导入华邦电25纳米DRAM制程平台,这一措施的实现,将对未来有很大影响,也将推动存储器行业、半导体行业的快速发展。

 


 

NeoFuse硅智财使DRAM产品在封装前的芯片测试及封装后的产品测试均可进行修补,达到多次修补(Multi-Repair)的目的。与传统雷射调校(Laser Trimming)相比,不仅降低调校成本与时间,并可使制造测试流程更加便利。尤其是在芯片封装后仍可进行修补(Repair),大大提升多芯片封装(MCP)产品的生产良率。

可兼容于DRAM制程平台的NeoFuse技术提供优于一般工作范围的操作电压区间,有利客户在产品设计上具备弹性并有效降低功耗。此外,NeoFuse的高编程良率,只需一次编程便可将资料成功写入,可大幅降低操作复杂性和测试成本。

力旺业务发展中心副总何明洲表示,力旺硅智财解决方案已成功地导入各类型的芯片应用。与华邦电共同合作,将力旺的NeoFuse导入25纳米DRAM制程,将使整体产品测试更加灵活,更有效率地提供符合高端客户与应用需求的产品。

这一举措的完成,不论是对力旺还是华邦电而言,都具有很重要的意义,对双方的发展都有极大的好处,也为未来全面开展NeoFuse在二代DRAM制程的开发计划打下了坚实基础。

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