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[导读]  转自台湾digitimes的消息,台系记忆体厂旺宏积极累积快闪记忆体专利,独立研发3D NAND技术,目前公司80~90%研发费用都投注在3D NAND技术上,长期发展是要与国际大厂一较高下。快闪记忆体市场下一阶段进入3D NAND

  

转自台湾digitimes的消息,台系记忆体厂旺宏积极累积快闪记忆体专利,独立研发3D NAND技术,目前公司80~90%研发费用都投注在3D NAND技术上,长期发展是要与国际大厂一较高下。

快闪记忆体市场下一阶段进入3D NAND技术,三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等都已投入研发,台系记忆体厂也积极开发中,目前是独立研发,并专注累积技术。

旺宏董事长吴敏求表示,积极朝3D NAND技术开发,并累积专利,看好未来市场发展。李建梁摄

旺宏在半导体厂中专利数量相当多,日前面对竞争同业飞索(Spansion)祭出专利大刀,也拿出手中专利应对。

在应用端,旺宏特别看好穿戴式装置和物联网(IoT)前景,且随着半导体产业制程技术推进下,逐渐降低成本结构,应用端也从手持式领域扩散开来。同时,车用市场也是旺宏积极耕耘之地,日前也进展到和车厂合作。

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