携手PMIC厂商　高通壮大Quick Charge生态系统

Quick Charge 2.0快速充电标准将风靡行动装置市场。高通(Qualcomm)于今年上半年发表Quick Charge 2.0快充标准后，不仅将其内建于Snapdragon 800处理器中，同时与包尔英特(Power Integrations)、戴乐格(Dialog)及快捷(Fairchild)等数家电源管理积体电路(IC)商合作，推出Quick Charge 2.0充电器IC，期迅速壮大Quick Charge 2.0生态圈。

高通Summit Microelectronics产品管理总监Abid Hussain指出，手机厂为提高电池续航力，除提供更大的电池容量外，更倾向于加入快速充电功能。

高通Summit Microelectronics产品管理总监Abid Hussain表示，无论是智慧型手机或平板电脑等行动装置皆开始搭载更高解析度的萤幕、多核GHz等级处理器以及长程演进计划(LTE)功能，因而耗电量遽增，不仅须搭配较过往方案三倍大容量的锂电池，且使用者对短时间内快速取得可用电力的需求将较往年增加。

Hussain强调，对于行动装置使用者而言，电池续航力将成为消费者评断产品好坏的重要关键，此外，消费者普遍认为在急需用电的时候，让手机保有五成至八成的电力，将比充饱电(100%)还重要许多，因此快充方案将炙手可热。

据了解，高通于今年全球行动通讯大会(MWC)正式发表Quick Charge 2.0通讯标准。与传统通用序列汇流排(USB)充电方案及Quick Charge 1.0方案相较，Quick Charge 2.0可在半小时内为3,300毫安时(mAh)的电池充饱60%的电力，但其他两者则分别仅能为手机提供10%及30%的电池容量。

Hussain指出，Quick Charge 2.0标准最高可让行动装置充电时间缩短75%，并与USB充电标准--BC 1.2及Quick Charge 1.0标准相容。高通为加速提升Quick Charge 2.0市场渗透率，已将其通讯协定内建于高通Snapdragon 800处理器中，并携手包尔英特、戴乐格旗下iWatt及快捷等数家合作厂商推出充电器IC，以确保在2014年Quick Charge 2.0生态系统臻于完善。

事实上，不仅搭载高通处理器的行动装置将可享有Quick Charge 2.0功能，其他未内建高通处理器的行动装置如数位相机，未来亦可藉由高通推出的独立式(Stand-alone)充电IC新增快速充电功能。

包尔英特已于日前推出符合Quick Charge 2.0标准的充电器参考设计，可与内建高通Snapdragon 800处理器的行动装置沟通，提供5伏特(V)、9伏特或12伏特的输出电压及2安培(A)的定电流，持续输出10～24瓦(W)的电源予行动装置；此外，针对不具备Quick Charge 2.0充电功能的行动装置，包尔英特的充电IC将自动停用9伏特及12伏特两种较高电压功能，以确保充电安全并自动向下相容至行动装置既有充电标准，包括USB BC1.2及Quick Charge 1.0等。

值得一提的是，Quick Charge 2.0标准将让高通跨足行动装置以外市场，未来该标准将进一步推出20伏特快充方案，并以3安培的定电流提供60瓦的充电功率，主要应用于一般墙壁上的USB插座，可望提供更多家电用品快速充电功能，加速扩大Quick Charge 2.0生态，为高通挹注更多行动装置市场外的营收。