全球半导体技术未来发展路线图

一、半导体产业生态环境

半导体产业诞生于上世纪70年代，当时主要受两大因素驱动：一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器；二是为满足企业开发具备特定功能的新产品而快速生产的专用集成电路。

到了80年代，系统规范牢牢地掌握在系统集成商手中。存储器件每3年更新一次半导体技术，并随即被逻辑器件制造商采用。

在90年代，逻辑器件集成电路制造商加速引进新技术，以每2年一代的速度更新，紧跟在内存厂商之后。技术进步和产品性能增强之间不寻常的强相关性，使得相当一部分系统性能和利润的控制权转至集成电路（IC）制造商中。他们利用这种力量的新平衡，使整个半导体行业收入在此期间年均增速达到17%。

21世纪的前十年，半导体行业全新的生态环境已经形成：

一是每2年更新一代的半导体技术，导致集成电路和数以百万计的晶体管得以高效率、低成本地生产，从而在一个芯片上或同一封装中，可以以较低的成本整合极为复杂的系统。此外，封装技术的进步使得我们可以在同一封装中放置多个芯片。这类器件被定义为系统级芯片（systemonchip,SOC）和系统级封装（systeminpackage,SIP）。

二是集成电路晶圆代工商能够重新以非常有吸引力的成本提供“新一代专用集成电路”,这催生出一个非常有利可图的行业--集成电路设计。

三是集成电路高端设备的进步带动了相邻技术领域的发展，大大降低了平板显示器、微机电系统传感器、无线电设备和无源器件等设备的成本。在此条件下，系统集成商再次控制了系统设计和产品集成。

四是互联网应用和移动智能终端的崛起，带动了光纤电缆的广泛部署和多种无线技术的发展，实现前所未有的全球移动互联。这个生态系统创造了“物联网”这一新兴的市场，而创新的产品制造商、电信公司、数据和信息分销商以及内容提供商正在争夺该市场的主导权。

半导体是上述所有应用的基石，所有的创新离不开半导体产业的支持。

二、全球半导体技术发展路线

上世纪60年代后期，硅栅自对准工艺的发明奠定了半导体规格的根基。摩尔1965年提出的晶体管每两年一次的更新换代的“摩尔定律”,以及丹纳德1975年提出的“丹纳德定律”,促进了半导体产业的成长，一直到21世纪初，这是传统几何尺寸的按比例缩小（ClassicalGeometricallyDrivenScaling）时代。进入等效按比例缩小（EquivalentScaling）时代的基础是应变硅、高介电金属闸极、多栅晶体管、化合物半导体等技术，这些技术的实现支持了过去十年半导体产业的发展，并将持续支持未来产业的发展。

（一）器件

信息处理技术正在推动半导体产业进入更宽广的应用领域，器件成本和性能将继续与互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorTransistor,CMOS）的维度和功能扩展密切相关。

应变硅、高介电金属闸极、多栅晶体管现已广泛应用于集成电路的制造，进一步提升器件性能的重点将在III-V族元素材料和锗。与硅器件相比，这些材料将使器件具有更高的迁移率。为了利用完善的硅平台的优势，预计新的高迁移率材料将在硅基质上外延附生。

2DScaling最终将在2013国际半导体技术路线图（ITRS）期间达到其基本限制，无论是逻辑器件还是存储器件正在探索如何使用垂直维度（3D）。3D设备架构和低功率器件的结合将开启“3D能耗规模化（PowerScaling）”时代，单位面积上晶体管数量的增加将最终通过多层堆叠晶体管来实现。

遗憾的是，互连方面没有新的突破，因为尚无可行的材料具有比铜更低的电阻率。然而，处理碳纳米管、石墨烯组合物等无边包裹材料（edgelesswrappedmaterials）方面的进展为“弹道导体”（ballisticconductor）的发展提供基础保障，这可能将在未来十年内出现。

多芯片的三维封装对于减少互联电阻提供了可能的途径，主要是通过增加导线截面（垂直）和减少每个互连路径的长度。

然而，CMOS或目前正在研究的等效装置（equivalentdevice）的横向维度扩展最终将达到极限。未来半导体产品新机会在于：一是通过新技术的异构集成，扩展CMOS平台的功能；二是开发支持新一代信息处理范式的设备。