抢食亚洲代工商机 晶圆厂模拟/先进制程攻势齐发
时间：2014-07-05 22:17:34
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[导读]晶圆厂正积极拓展亚洲市场布局。看好亚洲对行动和物联网(IoT)装置晶片的强劲需求，可望带动先进奈米制程及类比混合讯号制程商机，主要晶圆厂正纷纷投资扩产。其中，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更携手三星(Samsung
晶圆厂正积极拓展亚洲市场布局。看好亚洲对行动和物联网(IoT)装置晶片的强劲需求，可望带动先进奈米制程及类比混合讯号制程商机，主要晶圆厂正纷纷投资扩产。其中，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更携手三星(Samsung)，推进14奈米鳍式电晶体(FinFET)商用脚步，并加速推动新加坡8寸厂转型计划，期增加12寸晶圆产能，以提高类比混合讯号等特殊制程的成本竞争力。
格罗方德新加坡厂区资深副总裁暨总经理洪启财认为，中国大陆IC设计业者在国家政策扶植下快速崛起，未来格罗方德将持续在该市场投注技术资源，争取更多新秀晶片商青睐。
格罗方德新加坡厂区资深副总裁暨总经理洪启财表示，行动和物联网装置开发商致力追求高整合、低功耗和小尺寸设计，不仅刺激晶圆代工产业奋力迈进28奈米以下先进制程节点，亦带动嵌入式快闪记忆体(FlashMemory)、电源管理晶片(PMIC)、射频天线(RFAntenna)、显示器驱动和车用晶片等所需的40～180奈米类比混合讯号特殊制程需求高涨，因而激励晶圆厂加紧扩充产能。
以台积电为例，近年即不断拉升资本支出，强攻28/20奈米高介电系数金属闸极(HKMG)、16奈米FinFET与3DIC等先进逻辑制程，以满足处理器厂开发更高整合度系统单晶片(SoC)的需求。同时，台积电董事长张忠谋也提到，物联网火速发展，可望掀动下一波半导体业的巨幅成长，而相关设备所需的感测器、PMIC和射频晶片等皆须运用类比混合讯号特殊制程，因此该公司亦积极部署新一代高压(HV)、微机电系统(MEMS)和各种RF材料制程产线，以抢占市场先机。
无独有偶，格罗方德亦分头扩张先进逻辑、类比混合讯号特殊制程产线。洪启财透露，该公司位于德国的Fab1厂，目前已达到每月五到八万片28奈米晶圆出货；而近期与三星展开合作后，旗下美国纽约Fab8厂，更可望在今年底到明年初开出每月6万片的20和14奈米产能，给予一线处理器大厂强力支援。
至于类比混合讯号制程方面，格罗方德则利用2013年购入茂德的12寸厂设备，促进其新加坡Fab6从8寸转型成12寸厂，以提升技术和成本竞争力。洪启财强调，在行动和物联网产品出货急速成长的带动下，晶圆厂近期在PMIC、RF晶片和驱动器的订单可说是应接不暇，几乎各家的8寸厂皆处于满载状态；着眼于此，格罗方德遂率先启动8寸厂转型计划，期利用切割效率较佳，且具长期投资效益的12寸晶圆，快速冲高40～90奈米特殊制程产能。
据悉，格罗方德Fab6厂可望于今年底完成全线转换，并将挹注每月2万片12寸晶圆产能，促进其8寸和12寸晶圆出货占比，从六成/四成翻转为四成/六成，以强化各种类比混合讯号IC的接单能力。现阶段，该公司在亚洲IC设计市场也取得不错成绩，分别与MagnaChip和东芝(Toshiba)合作开发55奈米高压制程，以及40和65奈米低耗电FFSA(FitFastStructuredArray)方案。
洪启财分析，未来晶圆厂追求「LeadingEdge」技术应分为两个层面，一是针对SoC设计，加快奈米制程演进脚步，以大幅缩减晶片线宽；另外则是因应电源或RF等类比解决方案，以最合适的制程节点开发特殊材料和生产技术。不仅如此，随着IC设计商降低制造成本的需求日益殷切，晶圆厂全面转向12寸晶圆生产将是大势所趋；预期该公司新的12寸厂在年底加入生产行列后，将大幅增进在亚洲IC设计市场的影响力。
格罗方德新加坡厂区资深副总裁暨总经理洪启财认为，中国大陆IC设计业者在国家政策扶植下快速崛起，未来格罗方德将持续在该市场投注技术资源，争取更多新秀晶片商青睐。
格罗方德新加坡厂区资深副总裁暨总经理洪启财表示，行动和物联网装置开发商致力追求高整合、低功耗和小尺寸设计，不仅刺激晶圆代工产业奋力迈进28奈米以下先进制程节点，亦带动嵌入式快闪记忆体(FlashMemory)、电源管理晶片(PMIC)、射频天线(RFAntenna)、显示器驱动和车用晶片等所需的40～180奈米类比混合讯号特殊制程需求高涨，因而激励晶圆厂加紧扩充产能。
以台积电为例，近年即不断拉升资本支出，强攻28/20奈米高介电系数金属闸极(HKMG)、16奈米FinFET与3DIC等先进逻辑制程，以满足处理器厂开发更高整合度系统单晶片(SoC)的需求。同时，台积电董事长张忠谋也提到，物联网火速发展，可望掀动下一波半导体业的巨幅成长，而相关设备所需的感测器、PMIC和射频晶片等皆须运用类比混合讯号特殊制程，因此该公司亦积极部署新一代高压(HV)、微机电系统(MEMS)和各种RF材料制程产线，以抢占市场先机。
无独有偶，格罗方德亦分头扩张先进逻辑、类比混合讯号特殊制程产线。洪启财透露，该公司位于德国的Fab1厂，目前已达到每月五到八万片28奈米晶圆出货；而近期与三星展开合作后，旗下美国纽约Fab8厂，更可望在今年底到明年初开出每月6万片的20和14奈米产能，给予一线处理器大厂强力支援。
至于类比混合讯号制程方面，格罗方德则利用2013年购入茂德的12寸厂设备，促进其新加坡Fab6从8寸转型成12寸厂，以提升技术和成本竞争力。洪启财强调，在行动和物联网产品出货急速成长的带动下，晶圆厂近期在PMIC、RF晶片和驱动器的订单可说是应接不暇，几乎各家的8寸厂皆处于满载状态；着眼于此，格罗方德遂率先启动8寸厂转型计划，期利用切割效率较佳，且具长期投资效益的12寸晶圆，快速冲高40～90奈米特殊制程产能。
据悉，格罗方德Fab6厂可望于今年底完成全线转换，并将挹注每月2万片12寸晶圆产能，促进其8寸和12寸晶圆出货占比，从六成/四成翻转为四成/六成，以强化各种类比混合讯号IC的接单能力。现阶段，该公司在亚洲IC设计市场也取得不错成绩，分别与MagnaChip和东芝(Toshiba)合作开发55奈米高压制程，以及40和65奈米低耗电FFSA(FitFastStructuredArray)方案。
洪启财分析，未来晶圆厂追求「LeadingEdge」技术应分为两个层面，一是针对SoC设计，加快奈米制程演进脚步，以大幅缩减晶片线宽；另外则是因应电源或RF等类比解决方案，以最合适的制程节点开发特殊材料和生产技术。不仅如此，随着IC设计商降低制造成本的需求日益殷切，晶圆厂全面转向12寸晶圆生产将是大势所趋；预期该公司新的12寸厂在年底加入生产行列后，将大幅增进在亚洲IC设计市场的影响力。
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