HYNIX公司采用0.10微米技术进行生产

    目前，HYNIX公司主要利用0.10微米进行512M DDR和512M SDRAM芯片的生产中，在2003年下半年，公司计划利用0.10微米进行1G DDR2和1G SDRAM芯片的生产。预计在2003年，HYNIX公司20%的产品采用0.10微米技术进行大批量生产，到2004年，HYNIX公司65%的产品采用0.10微米技术进行大批量生产。

    与同类技术相比较，HYNIX这次采用的0.10微米技术将大大利用现有的设备，减少所需要的资金投资。与0.13微米相比较，利用0.10微米技术，可以使得每个硅片上芯片数量增加40%，从而降低芯片的成本，使得HYNIX的产品更具有市场竞争力。