KLA-Tencor 的新一代 TeronTM 600 光罩缺陷检测平台

【加州 MILPITAS 2009 年 9 月 14 日讯】专为半导体和相关行业提供工艺控制及成品率管理解决方案的全球领先供应商 KLA-Tencor 公司（纳斯达克股票代码：KLAC） 宣布推出了 Teron 600 系列光罩缺陷检测系统。全新的 Teron 600 平台中加入了可编程扫描机曝光功能，并且灵敏度和模拟光刻计算功能上与当前行业标准平台 TeraScanTMXR 相比，有明显改进，为 2Xnm逻辑（3Xnm HP内存）节点下的光罩设计带来了一次重大转型。这些优势对开发和制造2Xnm 节点的创新光罩是非常必要的。

过去，光罩设计人员首先从与目标晶圆图形相似的光罩图形着手，对光罩的特性（光学近似校正或 OPC）进行小范围调整，直到获得所需的晶圆结构为止。该方法在 2Xnm 节点处开始失效，因为 193nm 的光刻延伸至一个极端次波长范围。因此，在 2X nm 节点上使用反向光刻技术（ILT）和源光罩优化（SMO）等模拟计算光刻技术变成可行。ILT 通常会产生一个复杂的光罩图形和大量非常细小的结构，使光罩生产变得非常困难。更有甚者，源光罩优化（SMO）涉及到计算不均匀的扫描机光强分布。该分布旨在与 ILT 光罩一起，在晶圆上呈现最佳的光刻效果。

KLA-Tencor 光罩检测部的副总裁兼总经理 Brian Haas 表示：“新一代 2Xnm 工艺在光罩策略上的显着变化导致光罩缺陷检测技术飞跃。”光罩细微结构比从[!--empirenews.page--] 3Xnm 到 2Xnm 预计的缩小要小得多。另外，光罩图形如此破碎，使得工程师根本无法查找光罩缺陷的位置并确定其是否可以印刷到晶圆上——可能会导致半导体厂产生严重的成品率损失。对于 2X nm 节点，我们必须能够输入一个用户定义的扫描机曝光分布，考虑极化效应和光阻，并精确地计算光罩缺陷对晶圆的影响。Teron 600 利用了 KLA-Tencor 在模拟计算光刻方面的实力，以及我们在开发和制造 6 代光罩检测平台方面的经验。因此，该系统是一个具有超高分辨率和低噪声的光罩检测系统，专用于解决新的 2Xnm 工艺问题。这是 KLA-Tencor 的一项重大成果，我们相信，该产品将使我们的客户和行业受益匪浅。”

Teron 600 平台的设计旨在提高灵活性和可扩展性。该系统已成功的检测了为 ILT / SMO、两次成形光刻（DPL）和 EUV（光罩和空片）创建的原型光罩。系统设计考虑了延伸至潜在的1Xnm 工艺的光学解决方案。另外，Teron 600 系列可与 KLA-Tencor 的 TeraScan 500 系列光罩缺陷检测系统一起，以混搭的策略，为制造包括关键和非关键层在内的光罩提供一个经济实惠的解决方案。

全新的 Teron 600 系列光罩缺陷检测系统将包括多种功能，旨在用于生产高级光学光罩和开发EUV 光罩，其中包括：

·全新 193nm 波长、更小的像素，改良的图像处理和超低噪声运行，从而提供高分辨率

的光罩平面检测（RPI）；

.

·模-数据库[!--empirenews.page--](Die to database)和模-模(Die to die)的运行模式，可捕获各种布局的模和切割

道的缺陷；

·晶圆平面检测（WPI）用于预测光罩缺陷的可印刷性，通过光阻阈值，次波长衍射和

极化效应模拟来实现；

·全新的用户设置扫描机曝光模型, 可在实施 SMO、ILT 或其它非标准扫描机曝光几何

形状时，预测光罩缺陷的可印刷性；

·通过虚像平面过滤噪声缺陷，在光罩生产过程中，促进早期工艺开发并缩短生产周期;

·Teron 和 TeraScan 平台的兼容性，可对关键和非关键层的数据进行产能优化和有效整

合。

有关 Teron 600 系列光罩缺陷检测系统如何使光罩制造商生产2Xnm 节点无可印刷缺陷的光罩的更多信息，请浏览以下网站：http://www.kla-tencor.com/reticle/teron-600.html。

关于 KLA-Tencor：

KLA-Tencor [!--empirenews.page--]公司（纳斯达克股票代码：KLAC）是工艺控制与良率管理解决方案的领先提供商，它与全球客户合作，开发先进的检测与度量技术。这些技术为半导体、资料储存、化合物半导体、光电及其它相关奈米电子产业提供服务。公司拥有广泛的业界标准产品系列及世界一流的工程师与科学家团队，三十余年来为客户努力打造优秀的解决方案。KLA-Tencor 的总部设在美国加利福尼亚州 Milpitas，并在全球各地设有专属的客户运营与服务中心。