新款DrMOS器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款在一个PowerPAK®  MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件 --- SiC769，该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET，外加全功能的MOSFET驱动器IC。SiC769分别提供针对3.3V和5V控制器的两个型号，完全符合服务器和桌面计算机、图形卡、工作站、游戏控制台和其他高功率的CPU系统中电压稳压器的DrMOS规范。器件使操作频率可超过1MHz，从而降低多相VR拓扑的尺寸和成本。

SiC769采用3V～16V的输入电压，可输出最高达35A的连续输出电流。集成的功率MOSFET对0.8V～2.0V的输出电压进行了优化，标称输入电压为12V。SiC769还可以在5V输出下，为ASIC应用提供非常高的功率。

SiC769先进的栅极驱动IC接收来自VR控制器的一个PWM输入，把它转换成高压侧和低压侧MOSFET栅极驱动信号。PWM输入与所有的控制器兼容，尤其是支持带有三态PWM输出功能的控制器。驱动IC中的电路能够自动探测轻负载情况，然后自动启动系统中的跳频模式操作(SMOD)，该模式可提高轻负载条件下的效率。自适应的死区时间控制能够进一步地提高效率。保护功能包括UVLO、击穿保护，热报警功能可在结温过高时对系统发出报警信号。

SiC769中集成的驱动IC和功率MOSFET降低了功率损耗，减轻了与高频分立功率级相关的寄生阻抗的影响。SiC769还采用了先进的封装，与竞争技术相比，将封装中的功率损耗减少了30%。设计者可以对高频开关进行优化，改善瞬态响应，节约输出滤波器器件的成本，并实现在多相Vcore应用中最高的功率密度。这样可以节约PCB面积，为使用者的核心竞争技术提供更多的施展空间。

SiC769现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。