1.6GHz低噪声放大器(特瑞仕)
扫描二维码
随时随地手机看文章
特瑞仕半导体在业内率先开发了采用CMOS工艺,用于GPS的1.6GHz LNA(低噪声放大器)。
目前大部分LNA产品皆是采用GaAs、SiGe工艺,但是,近年来随着无线电仪器需求量的增加,LNA的制造工艺也从以往的技术,向拥有充足生产能力的CMOS工艺发展。相应于此市场趋势,本公司及时迅速地实现了采用CMOS工艺,用于GPS的LNA的批量生产。
XC2404A816UR-G是采用CMOS工艺实现了频率为1.6GHz、低电压驱动(1.14V~1.26V,固定偏置时)、低消耗电流(12.0mW,固定偏置时)、低NF(0.94dB、TYP.)的LNA系列产品。此外,增加1只电阻即可进行自给偏置、对应1.8V、2.85V的电源电压。输入输出均能以少量的外置零部件实现50Ω的匹配。
采用了USP-8A01(1.5mm x 1.5mm x h0.6mm)小型封装,可缩小组装面积。我们还计划今后将CMOS工艺扩大利用于GPS市场以外的新产品系列。
【XC2404A816UR-G的特长】
● 采用低消耗功率的CMOS工艺。
● 26.5dB的高增益实现了NF=0.94dB的低噪声指数。
● 可对应1.2V, 1.8V, 2.85V, 3.0V各种工作电压。