罗姆开发出超低VF小型肖特基势垒二极管

21ic讯 罗姆面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管“RBE系列”。

本产品已经以月产500万个的规模开始量产，随着客户采用的增加，从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。

此次，产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些产品，将非常有助于便携设备节省空间。

生产基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韩国)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚)。

近年来，智能手机等便携设备的多功能化日益加速，对电池的长时间驱动需求强劲。降低耗电量成为首要课题，电源电路日趋向低电压、大电流化方向发展。为此，电源电路中采用的肖特基势垒二极管需要低VF且平均整流电流较高的产品。但是，为了降低VF并且实现大电流化，需要增加芯片尺寸，因此很难满足对“小型”的需求。

此次罗姆通过优化二极管的元件结构，大幅改善了电流效率。与以往的相同封装产品相比，VF降低了约32%，实现了业界顶级的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向电流所产生的发热，相同封装也可确保大电流。

另外，由于确保了大电流，可以实现比以往封装产品更加小型封装的设计(在相同额定电流下相比)，最大安装面积消减了约80%。

罗姆今后会不断追求更加小型、低VF、大电流化，不断完善满足客户需求的产品阵容。

<特点>

1) 小型封装，确保大电流

业界顶级的低VF，以小型封装可确保大电流。

2) 最大可节约80%的空间

确保大电流，可实现相同尺寸更加小型封装的设计。

<智能手机电路例>

<规格>