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[导读]21ic讯 TriQuint半导体公司发布了两款最新双匹配低噪声放大器---TQP3M9039、TQP3M9040,非常适合用于平衡高性能的射频设计配置。这些集成的低噪声放大器为高线性度,提供了非常低的噪声系数以及高输出,并包括用于时

21ic讯 TriQuint半导体公司发布了两款最新双匹配低噪声放大器---TQP3M9039、TQP3M9040,非常适合用于平衡高性能的射频设计配置。这些集成的低噪声放大器为高线性度,提供了非常低的噪声系数以及高输出,并包括用于时分双工(TDD)和频域双工(FDD)应用的自动关闭功能。作为在基站、塔顶放大器和中继器的第一级低噪声放大器,他们都是优秀的选择 。

技术细节

TQP3M9039

700 -1000 MHz的GaAs pHEMT低噪声放大器: 0.5 dB的噪声系数; 38.8 dB的OIP3; 21 dBm的P1dB射频输出功率; 单正电源 (在57 mA为4.35 V)。 其双放大器结构使操作平衡,它提供了可调节的偏置 (漏极电流和电压) 和用于FDD和TDD操作的集成偏置关闭能力。采用4 x 4 mm QFN封装。

TQP3M9040

1500 - 2300 MHz的GaAs pHEMT低噪声放大器: 0.62 dB的噪声系数; 38.8 dB的OIP3; 21 dBm的P1dB射频输出功率; 单正电源 (在57 mA为4.4 V)。 其双放大器结构使操作平衡,它提供了可调节的偏置 (漏极电流和电压) 和用于FDD和TDD操作的集成偏置关闭能力。采用4 x 4 mm QFN封装。

最新TQP3M9039和TQP3M9040目前已投产,可提供样片。欲了解更多有关该公司的基站产品的信息,请于2月28日至3月2日访问TriQuint公司在IIC China的展台2F19。

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