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[导读]高速器件采用引线和SMD封装,辐照强度达600mW/sr,有不可见的红外辐射21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新型的采用插脚封装和SMD封装的高速940nm红外发射器---VSLY5940、VSMY1940X01、VSMY3940X

高速器件采用引线和SMD封装,辐照强度达600mW/sr,有不可见的红外辐射

21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新型的采用插脚封装和SMD封装的高速940nm红外发射器---VSLY5940、VSMY1940X01、VSMY3940X01、VSMY2940G/RG和VSMY14940*,扩展其光电子产品组合。这些Vishay Semiconductors器件采用Vishay的SurfLight™表面发射器芯片技术,辐照强度比标准的红外发射器高5倍以上,在各种红外照明、数据传输和手势识别应用中可减少元器件数量,提高性能,降低方案成本。

今天发布的器件包括一个带抛物线透镜的5mm插脚红外发射器,8个采用0805、PLCC-2封装,含顶视、侧视SMD器件。不同于由从芯片各个方向发光的红外发射器,Vishay的SurfLight器件把几乎所有光和功率由芯片的上侧发射出去。由于把大部分光集中在表面,这些器件实现了更高的强度,带插脚的发射器的辐照强度达到惊人的600mW/sr,SMD器件的辐照强度从10mW/sr到120mW/sr。

SurfLight发射器具有高亮度,插脚的器件半强角为±3°,SMD器件半强角从±9°到±60°。凭借940nm波长和窄光谱带宽,发射器可确保发出CCTV和夜视系统、游戏机、烟雾探测器、光幕、接近传感器和红外触摸屏中的CMOS摄像头不可见的红外辐射。SMD VSMY1940X01和VSMY3940X01通过AEC-Q101认证,适合汽车应用。

红外发射器具有10ns的快速上升和下降时间,在20mA下的正向电压低至1.32V,辐照功率达55mW。顶视器件的封装匹配Vishay的VEMD2000X01和 VEMD2503X01系列探测器,侧视器件匹配VEMD2xx3SLX01和VEMT2xx3SLX01。红外发射器适合高脉冲电流操作,潮湿敏感度等级达到J-STD-020的2a和3级,即floor life可达四周。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,支持无铅回流焊,无卤素。

器件规格表:

型号

辐照强度 (mW/sr)

半强角 (°)

正向电压 (V)

辐照功率 (mW)

封装 (mm)

VSLY5940

600

± 3

1.65

55

T-1

(5)

VSMY1940X01

10

± 60

1.45

50

0805

(2 x 1.25 x 0.85)

VSMY3940X01

15

± 60

1.44

55

PLCC-2

(3.5 x 2.8 x 1.75)

VSMY2940G/RG

120

± 10

1.55

55

Top-view with lens

(2.3 x 2.3 x 2.8)

VSMY2943G/RG**

35

± 28

1.55

55

Top-view with lens

(2.3 x 2.3 x 2.55)

VSMY2943SL**

35

± 28

1.55

55

Side-view with lens

(2.3 x 2.55 x 2.3)

VSMY14940*

82

± 9

1.32

40

Side-view with lens

(3.2 x 2.51 x 1.2)

*70mA正向电流

**将在2015年Q2发布

新的红外发射器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十六周。

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