美光科技和英特尔宣布 3D Xpoint 联合开发计划的最新动态

21IC讯 美光科技和英特尔今日发布关于两家公司 3D Xpoint™ 联合开发合作关系的最新动态。双方联合开发了一种全新的非易失性内存，与 NAND 存储相比，其延迟大幅降低，耐久性显著提高。

双方同意联合开发第二代 3D Xpoint 技术，预计将于 2019 上半年完成。第二代 3D XPoint 技术之后的开发工作将由两家公司各自进行，以针对各自的产品和业务需求优化该技术。

两家公司将继续在位于美国犹他州利哈伊的 Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) 工厂生产基于 3D Xpoint 技术的存储产品。

美光技术开发执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光在存储技术开发领域拥有悠久的创新历史和 40 年的世界领先专业知识，我们将继续推动下一代 3D Xpoint 技术的发展。我们为基于这种先进技术而开发产品激动不已，该技术让我们的客户可以利用独特的内存和存储能力。通过独立开发 3D Xpoint 技术，美光可以在基于我们的产品路线图的基础上更好优化该技术的同时，兼顾客户和股东的最大收益。”

英特尔非易失性存储解决方案集团高级副总裁兼总经理 Rob Crooke 表示：“在客户的强有力支持下，英特尔向客户和数据中心市场提供了广泛的 Optane 产品组合，并取得了领导地位。 英特尔 Optane和全球最先进的计算平台的直接连接让 IT 和客户应用取得了突破性的成果。我们计划保持这种势头，通过与高密度 3D NAND 技术相结合，扩大我们在 Optane 上的领先优势，为当今的计算和存储需求提供最佳解决方案。”