1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片（ST）

时间：2008-07-17 16:45:00

关键字：串行总线双线 EEPROM 存储器芯片

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[导读]意法半导体（ST）推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片，存储密度分别为256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit，兼容I2C Fast-Mode-Puls模式，数据速率可达I2C Fast-Mode 的2.5倍。

意法半导体（ST）推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片，存储密度分别为256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit，兼容I2C Fast-Mode-Puls模式，数据速率可达I2C Fast-Mode 的2.5倍。工作频率为1MHz，M24M01-HR完成1-Mbit的数据处理只需1秒钟；256-Kbit的M24256-BHR只需四分之一秒；512-Kbit的M24512-HR完成数据处理只需半秒钟。

这些新的双线串行总线EEPROM支持多种访存模式，包括按字节写入模式以及按64字节、128字节和 256字节页的写入模式、随机写入模式、顺序写入模式、自动递增寻址。除简化芯片在目标应用中的设计外，这些寻址模式还有助于工程师改进系统性能和功耗问题。新产品提供一个写控制输入引脚，同时，三支引脚让一条总线上可连接多达8个设备。为方便在低压或标准电压系统中采用，三款新产品都有不同版本，工作电压从 1.8V到5.5V或2.5V到5.5V。

ST先进的制造工艺让新产性能非凡，兼有1MHz的读写速度、竞争力的价格和三款微型表面贴装，TSSOP8和3.8mm宽（150 mils）的SO-8封装，厚度分别为1.2mm 和1.75mm，可用于纤薄的消费电子产品中（如数字电视）。所有封装均使用ST的ECOPACK® 环保技术，这项技术符合全球的绿色封装标准，包括欧盟的有害物质限用（RoHS）法规。

新产品还具有很好的耐用性，标称擦写循环100万次，数据保存期限40年以上。

SO-8封装的256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit样片、TSSOP封装的256-Kbit和512-Kbit样片现已上市。