新一代1.1Gb低功耗高速存储器件（瑞萨电子）

瑞萨电子株式会社推出用于网络设备的1.1Gb存储器件，面向新一代以太网标准（100GbE及以上）的交换机和路由器。新型网络存储器件在单个芯片内实现了低功耗、大容量和高速度等特性。与瑞萨电子现有的288Mb低延迟DRAM器件相比，新器件的存储容量增加了3倍，高速数据读写的随机循环性能提升了30%，工作频率提高了1倍。在性能得到大幅提升的同时，新器件的存储器功耗却保持在现有产品的同一水平上。

在多媒体智能电话、数字媒体播放器和互联网驱动数字照相机被广泛应用的今天，网络流量正在迅速增加。为了对应这种大流量，需要网络上的数据设备（如交换机和路由器）能够在单位时间内处理更多的数据。

因此，从用于将数据暂时保存在网络设备内的缓冲存储器，到用于将传送目标分配给数据的表格存储器，都越来越需要在增加其容量的同时提高其速度。此外，为了在全球范围内推动环保型社会的发展，削减网络设备的功耗也已变得极为重要，因此对降低设备内所使用的存储器功耗的需求也日益增加。

为了满足这些需求，瑞萨电子开发了新型存储器件。该器件在实现更大容量和更高速度的同时，还能通过利用其独特的工艺和电路技术削减功耗。

存储器件的主要功能如下。

(1) 利用瑞萨电子的40nm嵌入式DRAM（eDRAM）技术提高容量和速度，削减功耗
新款网络存储器件采用瑞萨电子的40nm eDRAM技术和在高速存储器件开发过程中已积累的电路技术制造而成。因此，与本公司现有的低延迟DRAM产品相比，瑞萨电子新款网络存储器件不仅存储容量（1.1Gb）上提高了3倍，高速数据读写操作的随机循环性能也（13.3ns）提升了30%，同时其最高工作频率（800MHz）更提高了1倍之多。而在取得上述改进的同时，其功耗却维持了原有2W的低水平。

(2) 高可靠性的高速接口
与瑞萨电子现有的存储器件相比，新款网络存储器件的工作频率从400MHz提高到了800MHz。为了让面向36位数据输入/输出（I/O）的800MHz DDR（双倍数据速率）接口能够稳定运行，公司降低了I/O电路的电压，支持1.0V电源，并且采用高端终端来让操作保持稳定，这在图形存储器件领域内得到了广泛的认可。新款网络存储器件提供了各种功能，使运行的可靠性得到保证。例如其提供的可编程片内终端，就整合了面向输入信号引脚的片上终端器件。此外，新款器件所提供的功能还包括：可以降低数据输出端噪声的数据反演功能、可使终端产品制造商根据个别信号引脚的情况调整信号输入与输出时序的逐比特去歪斜功能、以及可以在印刷电路板采用蛤壳安装时轻松控制接线长度的镜面功能。

(3) 与现有产品相比，其封装结构相同、尺寸也类似
由于工作频率的提高，瑞萨电子将封装内的电源引脚增至38个，在采用与现有产品（其封装尺寸为11 x 18.5mm）相同封装结构的同时，却将封装尺寸降至14 x 18.5 mm。由于新器件所采用封装的可靠性已广泛得到了行业的证实，因此采用这款新器件的系统设计者可以构建更可靠的系统，同时在印刷电路板设计阶段还无需面临电气特性相关的难题。

2010年4月，NEC电子公司和瑞萨科技公司合并组成瑞萨电子。合并后的瑞萨电子现已成为可以独立供应面向网络设备的TCAM（三态内容可寻址存储器）、低延迟DRAM和普通QDR SRAM存储器件的半导体存储器制造商。借助其自身的先进技术，瑞萨电子将继续开发面向网络设备的存储器件，以满足未来的市场需求。
 
此次瑞萨电子的新产品有助于节约能源和提升网络设备的性能，如交换机和路由器。今后，瑞萨电子将通过各种促销活动向全球市场供应这款器件。

定价和供货情况
瑞萨电子新款网络存储器件（产品编号为µPD48011318、µPD48011336、µPD48011418和µPD48011436）样品现已开始供应，单价为150美元。预计2011年4月开始批量生产，2012年3月之前月产量将达到1,000,000件。