赛普拉斯推出业界首款4Mb 串行F-RAM

新款F-RAM拓宽了最具能效的非易失性RAM的容量范围，

用于关键任务数据存储

赛普拉斯半导体公司日前宣布，推出一系列4Mb串行铁电随机存取存储器(F-RAM)，这是业界容量最大的串行F-RAM。该款4Mb串行F-RAM拥有40-Mhz串行外设接口(SPI)，工作电压范围是2.0至3.6V，采用业界标准的符合RoHS标准的封装方式。赛普拉斯所有的F-RAM均可提供100万亿次的读写寿命，85˚C温度下的数据保存时间可达十年，65˚C下则长达151年。

对于需要连续频繁高速数据读写，并要求保证数据的绝对安全性的应用而言，赛普拉斯的F-RAM是理想选择。这一4Mb串行F-RAM系列符合关键任务应用的需要，例如工业控制和自动化、工业计量、多功能打印机、测试和测量设备，以及可穿戴医疗等。

赛普拉斯非易失性产品事业部副总裁Rainer Hoehler指出：“关键任务系统要求高性能存储器能够在掉电瞬间可靠地捕获数据。赛普拉斯的4Mb F-RAM系列是业界最高容量的串行F-RAM器件，可提供绝对的数据安全性。”

供货情况

4Mb串行F-RAM目前正在出样，采用业界标准的8EIAJ 和 8TDFN封装方式。预计2015年第四季度量产。