Synopsys 发布DFM新系列产品

    电子设计自动化（EDA）软件工具厂商Synopsys推出了具备工艺识别功能的可制造性设计(DFM)新系列产品PA－DFM，用于分析45纳米及以下工艺定制/模拟设计阶段的工艺变异的影响。随着工艺尺寸的日益减小，先进硅技术将引起更多如应力工程的变异问题，这将越来越影响电路的性能。Synopsys PA-DFM系列的核心产品Seismos 和 Paramos 可将制造变异信息反标回设计阶段，帮助定制IC（IP、标准单元、存储器和模拟线路）的设计人员优化布局并最大限度提高成品率。该产品系列是Synopsys帮助客户在设计制造工艺的关键环节提高成品率的另一核心产品。

    晶体管工艺变异是当前DFM领域面临的重大挑战，而PA-DFM产品是唯一解决相关变量问题的方法。这些产品可通过整合设计工艺的精确物理建模信息，解决由于设计和生产交互作用所引起的参量变异问题，是建立在Synopsys先进的工艺和器件建模工具TCAD专业能力基础上的最新进展。这些Synopsys DFM最新增加的产品补充了该公司最近推出的成品率分析工具PrimeYield和统计时序分析工具 PrimeTime® VX，以及统计参数提取工具Star-RCXT™ VX。

    UMC的IP和设计支持事业部总监Ken Liou表示：“由于先进技术结点需要增加新的工序，因此工艺变异问题使DFM设计人员面临越来越大的挑战。例如，目前的建模解决方案还不能解释通孔布局是如何影响可以用来增强迁移率的应力膜。我们非常高兴地看到DFM解决方案在不断向前发展，并愿意与Synopsys合作采用其45纳米及以下工艺的PA-DFM工具。”

    为了确保与原有设计架构的无缝整合，最新PA-DFM产品被设计为可以轻松嵌入客户现有设计流程和方法，在满足客户减少工艺变异问题需求和提高电路性能的前提下保护客户投资。PA-DFM产品有助于IC设计人员在实现45纳米及以下技术的全部潜能的同时，最大限度地提高成品率。 

    通过集成基于TCAD驱动的模型和物理设计工具，Synopsys填补了纳米级IC设计的关键空白。PA-DFM产品系列与公司的行业标准级产品HSPICE®电路模拟工具、PrimeTime® VX和Star-RCXT™ VX工具的有效配合，强化了Synopsys公司的解决工艺变异问题的能力，进而提升了性能、生产效率和可预测性。所有这些工具都具有高度的互补性，有助于客户解决设计实现中元件布局所引起的工艺变异问题。

    Seismos 和Paramos工具的组合可以解决设计当中引起工艺变异的两大问题：由于应力和其它临近效应引起的逼近变异，以及跨越不同裸片和晶圆间制造工艺参数的延展而引起的全局变异。通过在制造工艺中应用精确的物理建模，设计人员可以在不大规模改变当前实际设计流程的条件下描述制造可变异性的问题。

    Seismos是晶体管级的工具，用来分析在纳米级张力条件下硅技术的应力和其它逼近效应。由于目前65纳米技术结点已经进入量产阶段，而45纳米技术结点刚进入试生产阶段，因此客户需要分析因逼近效应产生的参数变化的能力，如晶体管应力状态对布局产生的影响。Seismos是可以满足这一关键需求的第一款EDA工具。其模型通过硅数据经过了严格的TCAD仿真验证。该工具可以轻松实现数百万晶体管的设计。

    通过提取工艺识别的SPICE紧凑模型，结合了校准的TCAD仿真与全局SPICE提取，Paramos直接将SPICE模型与制造条件连接，这有助于客户模拟工艺变异（统计或系统方面）对电路性能产生的影响。这种方法可为客户提供用于电路性能统计计时仿真的实际变量模型，允许客户将设计敏感度的探索深入到实际的物理工艺参数当中。

    Synopsys TCAD事业部总经理Wolfgang Fichtner 表示：“在45纳米及以下工艺，我们的客户必须对工艺变异的影响及变异的来源有清晰的认识。Synopsys新的工艺具备识别功能的PA-DFM系列产品可帮助我们的客户更深入地了解引起工艺变异的底层物理现象。此外，这些工具还帮助我们的客户充分利用Synopsys的TCAD、DFM和工艺变异识别统计分析技术的优势，开发并优化他们的设计流程和方法学，进一步完善半导体工艺。这将显著节约时间和成本，最终使芯片制造商实现更高的产量。”

    PA-DFM系列产品目前已经上市。