新的SiA436DJ在1.2V的栅源电压下就可以导通

21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。

新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

SiA436DJ可用于智能手机、平板电脑，以及移动计算应用等便携式电子产品中的负载切换。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间，同时其低导通电阻可以减少传导损耗，达到降低功耗、提高效率的目的。

MOSFET在1.2V电压下就可导通，使MOSFET可以采用手持设备中常见的低压电源轨进行工作，简化了电路设计，使电池在两次充电周期之间的工作时间更长。SiA436DJ的低导通电阻还可以减低负载开关上的电压降，防止出现讨厌的欠压锁定现象。

SiA436DJ通过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令。

新的SiA436DJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。