三星S6B0107和S6B0108的替代方案RA8808

随著日本多数半导体公司相继退出LCD Controller & Driver IC这块市场，三星也毅然宣布退出的消息，引发众多原来非常成熟S6B0107&S6B0108的128*64的COB方案找不到一个最佳的替代品，造成客户都要更换方案或寻找替代品的新一轮设计。

瑞佑公司成功推出了一款全新的替代方案，将原来模组周边的驱动芯片和升压芯片，稳压芯片全部集成为一颗，我们称之了“五合一”的芯片，此芯片出来既可以降低成本，又可以提高生产良率及效率，软件还是可以完全替代。除此之外，此芯片设计还是非常简单易学。并且此芯片Die Szie稍大，试做可以用菲林投片生产，大大弱化了开发的模具费用。

下面我们就用一款128*64的产品来说明RA8808是如何能替代原来的方案。

RA8808主要特性

RA8808采用COG芯片设计理念，将MPU接口，Display RAM，Power Circuit，COM/SEG driver，同时增加了级联的概念，同时可以级联二颗芯片，驱动256*64点阵。

在原来S6B0108只有8080模式的下又增加了6800模式，同是还增加了3线，4线，IIC接口。其它电讯功能是完全相同的。

此芯片采用的宽电压输入，可同时支持3.3V和 5V工作。非常适合工业控制的客户，不需要再增加电平转换芯片。

 
内部方块图

 128通道的列驱动，64通道的行驱动的点阵型液晶屏（LCD）驱动
 内建有支持动态显示的时序发生器
 两个RA8808以主从模式联结可以支持到256x64的点阵
 液晶屏（LCD）行驱动的工作周期（duty）可应用到： 1/48, 1/64
 支持6800/8080的8位并口的MPU接口，3线串口SPI或IIC的MPU接口。
 来自于MPU的显示数据存放在显示数据存储器（DDRAM）里
 内部存储器(RAM) 容量:两倍 512 字节 (4096 位) 的静态存储器(SRAM)
 液晶屏驱动电压: 8V ~17V (VDD - VEE)
 工作电压: +2.7V ~ 5.5V 宽电压工作方式
 高电压CMOS制程
 包装:Gold Bump Die (COG封装)

RA8808替代方案示图

从上面这张示意图可以看出，两者产品结构基本上一致，所以针对终端用户而言，完全是Pin to Pin的替供。

在软件设计时，可根据RA8808的内部寄存器来设计RA8808的驱动程序。RA8808的内部寄存器指令集还是算比较简单易懂的，它由简单的7条指令，这7条指令跟三星S6B0108&S6B0107是完全相同的，就是因为这些精简的指令集，才让用户可以很好的完成软件的编写。下面我们做一下初步的了解。

1、 打开关闭显示：这点很清楚，就是打开显示和关闭显示。
2、 水平地址设定：设定要写的数据的X轴的坐标。
3、 垂直地址设定：设定要写的数据的Y轴的坐标。
4、 起始行设定: 设定要写的数据起始行。
5、 状态寄存器设定：用来读取芯片工作忙否。
6、 显示数据写入：用来写入显示数据或寄存器状态。
7、 显示数据读取：用来读取显示数据或寄存器状态。

为了提高芯片的驱动能力，优化显示的效果，瑞佑建议尽量要缩短走线的长度，这样可以减少ITO电阻，压降减少。

LCD走线布局

从上面的介绍可以看出，RA8808从两个地方根本上解决了客户的两个问题。一是软件兼容，二是成本降低。