用于LTE和3G的两颗射频芯片（英飞凌）

 近日，英飞凌科技股份公司在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布，其研发的第二代用于LTE（Long-Term-Evolution）设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件，能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能，其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接，以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。

与此同时，英飞凌在其久负盛名的3G射频发射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新产品：SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化，采用该器件后，双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比，成本上有超过40%的下降。

英飞凌无线通讯事业部副总裁兼射频终端业务部总经理Stefan Wolff先生进一步指出：“通过全球首颗单芯片2G/3G/LTE射频发射器件SMARTi LU的开发成功，英飞凌再次向世人展示了我们在高性能、多模式射频发射器件解决方案领域中所占据的领导地位。英飞凌不仅在LTE射频领域持续保持着技术创新领导者的地位。同时，英飞凌也致力于通过不断减少外围元器件数量和系统成本的降低，以充分满足广大人民群众对超低端3G手机的需求。而这次推出的SMARTiUEmicro正是顺应这一方向开发出的产品，必将为新兴市场全面铺开3G商用化网络提供强有力的支持。”

SMARTi™ LU
 SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件。这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时，还可以同时支持六个3G和LTE波段。在该芯片丰富的功能列表中，包括LTE FDD class 5（下行速率最大可达150兆比特每秒，上行速率最大可达50兆比特每秒）、MIMO Rx diversity（两个下行 + 一个上行）、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。该芯片如此广泛的射频波段支持能力，使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口，为手机系统设计“全数字化”树立了一个新的里程碑，使得基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。SMARTi LU基于全球主要半导体生产厂商共同遵循的65nm生产工艺，样片和性能测试报告计划在今年巴塞罗那全球无线大会上全面展示。

SMARTi™ UEmicro
SMARTi UEmicro是为配合低端3G手机需求设计的一颗CMOS工艺、单芯片、同时支持2G/3G网络的射频发射器件。该芯片是英飞凌已被市场广泛验证的射频发射器件SMARTi UE的低成本后续产品。通过遵循DigRF v3.09基带芯片通讯接口，该器件在软件和硬件上都达到了先后兼容性。通过减少外接低噪声放大器（LNAs）和采用无接受滤波器的带内射频前端等技术创新，SMARTi UEmicro成为广大超低端3G手机的首选射频器件。SMARTi UEmicro以其无比优异的射频性能，在支持双波段或四波段GSM/EDGE和最多三个WCDMA波段时，达到了系统成本最优化。从2009年二季度开始，客户即可从英飞凌获得SMARTi UEmicro的样片。预计在2009年底，采用该芯片的客户将开始大规模批量生产。