针对TD-SCDMA的RF功率器件和参考设计（飞思卡尔）

飞思卡尔半导体引入两个末级LDMOS  RF功率晶体管，为设计人员提供介于分离式和集成式电路解决方案之间的选择。此选择随同提供两个参考设计，为设计人员带来更好的灵活性，并且有助于缩短上市时间。新晶体管经过优化，用于基于时分同步码分多址技术（TD-SCDMA）的功率放大器。而TD-SCDMA则是目前中国国内广泛部署的第三方无线标准，同时其他市场也正在考虑使用该技术。

飞思卡尔新型的高效器件包括 MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多级集成功率放大器IC。它同时还推出基于Doherty 架构的两款参考设计，从而提高了生产商为TD-SCDMA网络创建紧凑型经济高效的、高性能基站收发器产品的能力。
 
飞思卡尔副总裁兼 RF部门总经理  Gavin Woods 表示，“飞思卡尔为中国使用 TD-SCDMA无线技术网络的客户提供高性能的解决方案，并继续保持在LDMOS RF技术领域的领先地位。飞思卡尔利用其在RF功率技术方面的知识和领先地位，支持TD-SCDMA的特定需求。目前整个中国都在迅速部署TD-SCDMA技术。”

整体设计的灵活性
飞思卡尔最新的RF  LDMOS 器件使构建RF 功率放大器成为可能，这些放大器经过优化后适合选定的设计。设计人员可以在分离式三级PA配置中选择 MRF7P20040H作为最终的放大器，或者在两级PA配置中选择MD7IC2050N IC（包括驱动和末级放大器）。两个器件都能很好地满足 在Doherty放大器的使用需求，并且通常部署在现有的基站收发器里。Doherty放大器包括在不同发射信号条件下运行的两台放大器，并且它通常需要为每个放大器分别提供单独的晶体管。

不过，飞思卡尔MRF7P20040H和MD7IC2050N 支持双路径配置，这样在末级放大器中用单个器件（而不是两个）就能安装 Doherty 放大器。此外，既然两个器件都是宽带，它们可以在为TD-SCDMA (1880 -1920 MHz， 2010 - 2025 MHz)分配的两个频带中运行，因此使用同一个器件可以在两个频带里实现RF功率。这些优势能大大减少 TD-SCDMA 放大器的尺寸、计费单以及电路的复杂程度，同时还能简化清单管理。

Doherty放大器参考设计
飞思卡尔引入两款Doherty放大器参考设计，能够大幅缩短放大器的设计周期。第一款设计采用飞思卡尔MMG3014N通用放大器驱动MD7IC2050N，以生成基于两级IC的阵列，RF平均输出功率为10W时交付35%的效率和45dB的总增益。第二款设计将飞思卡尔MMG3014N 作为预驱动，MW6S004N LDMOS FET作为驱动，MRF7P20040H作为末级放大器。由此生成三级分离式阵列，RF平均输出功率为10W时交付38%的效率和50dB的总增益。

这两款器件包括用6载频 2025 MHz TD-SCDMA测出的Doherty常见性能，其他重要特性则包括：
• MRF7P20040HS：RF输出功率峰值为50W ；平均输出功率为10W时漏极效率为43%，增益是18dB。气孔陶瓷封装带内部匹配件，便于使用方便。
• MD7IC2050N：RF输出功率峰值为70W;平均输出功率为10W时漏极效率是35%，增益是29 dB。片上静态电流温度补偿，提供与225°C超模压塑料封装匹配的50欧姆片上输入。

两款RoHS兼容的器件都是在对称的Doherty放大器配置中测试后再生产的，以提供具有保证的RF功率输出。同时它们组合静电放电（ESD）保护，防止由于组装线上杂散能量导致的破坏。

定价和供货
如需了解取样和定价信息，请您与飞思卡尔半导体公司、当地销售办事处或授权的经销商联系。