适合LTE/4G应用的新型SMT封装双平衡混频器（Hittite）

射频微波MMIC厂商HITTITE最近推出了一款新型的基于砷化镓MMIC的混频器HMC915LP4E。

该混频器采用4*4mm的QFN SMT封装，与HITTITE另一款双平衡混频器HMC215LP4E（工作频带1.7到4.0GHz）管脚兼容。HMC915LP4E可工作在0.5到2.7GHz，适合应用在宽带，LTE/4G，和测试设备中，既可以用做上变频器也可以用做下变频器。

HMC915LP4E本振端和射频端的隔离度为32dB，变频损耗低至8dB，输入IP3则高达28dBm。在宽中频情况下，既可用在高本振环境也可用在低本振环境，此时中频可高达1GHz。HMC915LP4E内部本振端集成了一个缓冲放大器，这使得其本振端的输入电平在-2到6dBm，可以直接由频综的输出口驱动。

HMC915LP4E样片和评估板现在已经可以提供，详情可致电HITTITE授权代理商世强电讯。