Vishay发布4款新型D/CRCWe3厚膜片式电阻的工程设计包
时间：2012-06-15 17:34:06
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[导读]21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
21IC讯 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通过AEC-Q200认证的D/CRCW e3厚膜片式电阻的新型工程设计套件。套件可帮助设计者选择最适合其应用的电阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可选阻值，同时样片封装在卷带条并附有单独的标签。
本次发布的4款设计套件采用E96系列阻值标准，范围从10Ω到1MΩ(每档间隔４个阻值)，同时额外包含一个0Ω跳线，每款套件总共包含122种不同的阻值。电阻的容差为±1%，TCR为±100ppm/K，功率耗散为0.063W～0.25W，电阻芯电压为50V～200V。
D/CRCW e3厚膜片式电阻非常适合汽车、工业设备、通信基础设施、消费品和计算机等领域的应用。器件符合RoHS指令2011/65/EU，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。
规格表：
| 产品 | 额定耗散 P70 | 电压 | 数量 |
|---|---|---|---|
| D10/CRCW0402 e3 | 0.063 W | 50 V | 122 x 100 |
| D11/CRCW0603 e3 | 0.10 W | 75 V | 122 x 50 |
| D12/CRCW0805 e3 | 0.125 W | 150 V | 122 x 50 |
| D25/CRCW1206 e3 | 0.25 W | 200 V | 122 x 50 |
新款工程设计套件现可提供样品，并已实现量产，供货周期为六周。
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列
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