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[导读]凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具能量监视功能的热插拔 (Hot Swap) 控制器 LTC4282,该器件具双路 MOSFET 驱动,可用来实现 100A 及较大电流的电路板设计。LTC4282 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 以给电容器缓慢加电,可确保在 2.9V 至 33V 带电背板上安全地插入和拔出电路板,从而避免了产生火花、连接器损坏和系统干扰。可热插拔的大电流电路板采用并联 MOSFET 以降低电压降,但是所有这类 MOSFET 都需要很大的安全工作区 (SOA) 以穿越过流故障。通过控制两个匹配电流限制的通路,LTC4282 将每条通路的 SOA 要求减少了一半,从而降低了大电流应用 (>50A) 中 MOSFET 的成本。采用分阶段启动配置,在一条通路中采用小 SOA MOSFET,而在另一条通路则采用低 RDS(ON) MOSFET,这可进一步节省成本。LTC4282 为热插拔和监视应用提供了一款坚固和紧凑的解决方案,尤其是服务器、网络路由器和交换机、以及企业级数据存储系统中的大功率电路板应用。

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具能量监视功能的热插拔 (Hot Swap) 控制器 LTC4282,该器件具双路 MOSFET 驱动,可用来实现 100A 及较大电流的电路板设计。LTC4282 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 以给电容器缓慢加电,可确保在 2.9V 至 33V 带电背板上安全地插入和拔出电路板,从而避免了产生火花、连接器损坏和系统干扰。可热插拔的大电流电路板采用并联 MOSFET 以降低电压降,但是所有这类 MOSFET 都需要很大的安全工作区 (SOA) 以穿越过流故障。通过控制两个匹配电流限制的通路,LTC4282 将每条通路的 SOA 要求减少了一半,从而降低了大电流应用 (>50A) 中 MOSFET 的成本。采用分阶段启动配置,在一条通路中采用小 SOA MOSFET,而在另一条通路则采用低 RDS(ON) MOSFET,这可进一步节省成本。LTC4282 为热插拔和监视应用提供了一款坚固和紧凑的解决方案,尤其是服务器、网络路由器和交换机、以及企业级数据存储系统中的大功率电路板应用。

LTC4282 位于电路板电源的出入口处,其 ADC (模数转换器) 的准确度为 ±0.7%,通过 I2C/SMBus 数字接口报告电路板电压、电流、功率和能耗。在出现过流情况时,LTC4282 折返其准确度为 2% 的电流限制,以针对可调超时周期保持恒定 MOSFET 功耗。数字方式配置的限流可随负载变化实现动态调节,并减轻了低值检测电阻器的选择负担。该器件记录所监视电气参数的最小值和最大值,当这些参数超过 8 位门限时就发出报警。内部 EEPROM 为寄存器配置和故障记录数据提供非易失性存储。为了防止对电路板造成灾难性损坏,连续监视 MOSFET 是否出现异常情况,例如低栅极电压和漏源短路或大的电压降。

LTC4282 规定在 0oC 至 70oC 商用和 −40oC 至 85oC 工业温度范围内工作,采用 32引脚 5mm x 5mm QFN 封装。千片批购价为每片 5.95 美元。样品和评估电路板可通过凌力尔特网站或联系凌力尔特当地办事处查询详情。

照片说明:2.9V 至 33V 千瓦热插拔控制器具双路 MOSFET 驱动、ADC、I2C/SMBus 接口和 EEPROM

性能概要:LTC4282

·允许在带电背板上安全插入电路板

·具 ±0.7% 总未调整误差的 12 位 / 16 位 ADC

·通过 I2C/SMBus 接口读取电路板电压、电流、功率和能耗

·内部 EEPROM 用来存储配置数据和故障记录

·宽工作电压范围:2.9V 至 33V

·大电流应用的功能

o双路 MOSFET 栅极驱动和电流检测

o12V 栅极驱动用于较低的 MOSFET RDS(ON)

o具电流折返的 MOSFET 功率限制

·数字功能

o以数字方式调节的限流和 UV / OV / PG 门限

o存储最小和最大测量值

o超过设定门限时发出警示信号

o3 个通用输入 / 输出

·连续监察 MOSFET 健康情况

·输入欠压和过压保护

·32 引脚 5mm x 5mm QFN 封装

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