Renesas 两个功率MOSFET的HAT2210WP
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HAT2210WP的主要特性如下。
(1) 低热阻
由于使用了WPAK高热辐射封装，与目前SOP-8封装的HAT2210R相比，热阻减小了一半。可以控制的输出电流也提高了大约50%，因此可以减少具有高电流处理能力的DC-DC变换器所需要的功率MOSFET的数目。
(2) 与SOP-8封装的安装面积相同，但厚度仅有它的一半(0.8 mm (最大)。
HAT2210WP需要的安装面积与业界标准的SOP-8封装一样，是5.3 × 6.1 mm；但厚度大约仅是它的一半，为0.8 mm (最大)，使得DC-DC变换器可以做得更小巧。
安装在信息设备如笔记本电脑和服务器中的存储器、ASIC和其它芯片需要不同的驱动电压，因此，需要使用一些DC-DC变换器。这些DC-DC变换器需要两个功率MOSFET，分别用于高边和低边*2应用。瑞萨科技目前大量生产的产品，具有两个功率MOSFET，封装形式是SOP-8封装，可以满足较小DC-DC变换器的需要。但是，各种芯片处理的数据量越来越大，需要可以处理更大电流、安装更多功率MOSFET的DC-DC变换器。
在这样的背景下，瑞萨科技开发出了新型HAT2210WP，它使用WPAK高热辐射封装，可以提高可以控制的电流量，实现更高的DC-DC变换器电流容量，并减少安装的功率MOSFET的数目。
HAT2210WP安装在印刷电路板（40 × 40 × 1.6 mm玻璃环氧板单个功率MOSFET操作）上时的热阻，从瑞萨科技目前SOP-8封装产品的110ºC/W，下降了一半，达到55ºC/W。因此，可以控制的输出电流提高了50%多，从SOP-8产品的3 A，提高到了5 A。当ASIC和其它芯片的驱动电流超过3 A，进入4 A－ 5 A范围时，单个HAT2210WP就可以控制5 A的输出电流，而先前需要两个SOP-8封装的具有两个功率MOSFET的产品，因此，HAT2210WP使得DC-DC变换器可以做得更小。
而且，由于安装了高边和低边功率MOSFET，使用分裂漏结构。使用瑞萨科技最新的0.35 μm工艺的第8代功率MOSFET，具有业界的最高性能，设计时进行了优化，使高边MOSFET具有高开关速度、低边MOSFET具有低导通电阻，因此可以实现很高的效率，从而满足DC-DC变换器低压输出的需要。
在低边MOSFET中有一个肖特基势垒二极管，减小了MOSFET和肖特基势垒二极管之间的接线电感*3。在DC-DC变换器死区时间过程中，可以加速肖特基势垒二极管的换向，从而消除效率恶化，并减小噪声。
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