采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 

这次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK® 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 SiS426DN 而言，直流到直流转换器中针对 MOSFET 的此关键优值 (FOM) 在 4.5V 时为 76.6 mΩ-nC，而在 10 V 时为 117.60 mΩ-nC；它在 4.5V 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nC，在 10V 栅极驱动时低至 28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%，FOM 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。

Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封装的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封装的 Si7784DP。两款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 时典型栅极电荷分别为 13.7 nC 和 30 nC，且在 4.5V 和 10V 时导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 分别为 112.34 mΩ-nC 和 180 mΩ-nC。采用 PowerPAK SO-8 封装的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且 100% 通过 Rg 和 UIS 测试。

这些器件将在同步降压转换器中用作高端 MOSFET，通过使用负载点 (POL) 功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块 (VRM)、服务器及其他系统的功耗。


器件规格表：

型号	SiS426DN	SiR496DP	Si7718DN	Si7784DP
封装	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8
VDS	20		30
RDS（在 4.5 V 时）	5.8 mΩ		8.2 mΩ
RDS（在 10 V 时）	4.2 mΩ		6 mΩ
典型 QG（在 4.5 V 时）	13.2 nC		13.7 nC
典型 QG（在 10 V 时）	28 nC		30 nC
RDS(on) x QG @ VGS = 4.5 V	76.6 mΩ-nC		112.34 mΩ-nC
RDS(on) x QG @ VGS = 10 V	117.6 mΩ-nC		180 mΩ-nC

目前，采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。