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[导读]日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。在种类繁多的便携式设备中,20V的P沟道S

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。

在种类繁多的便携式设备中,20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间,以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。

在4.5V栅极驱动下,Si8461DB的导通电阻为0.1Ω,比非芯片级器件提高了10倍,而且具有相近的占位尺寸,为节约便携设备中的电池能量提供了极大帮助。除4.5V的电压等级,Si8461DB还确定了在2.5V、1.8V和1.5V电压时的最大导通电阻,导通电阻与采用便携式系统中常见的更小输入信号的设备相匹配。对于充电开关等需要更高输入电压的应用,Si8465DB具有12V的栅源电压,在4.5V和2.5V栅极驱动时的导通电阻分别为0.104Ω和0.148Ω。

Si8461DB和Si8465DB现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周至十二周。

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