飞兆半导体推出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ

21ic讯 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 开发出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸，并提供了所需的高效率。

FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超便携应用而设计，具有N沟道共漏极MOSFET特性，能够实现电流的双向流动。

FDMB2307NZ采用先进的PowerTrench工艺，具有高功率密度，并在VGS = 4.5V, ID = 8A条件下具有最大16.5mΩ的Rss(on)，从而获得更低的导通损耗、电压降和功率损耗，并且相比竞争解决方案，具有更高的总体设计效率。FDMB2307NZ还具有出色的热性能，使得系统工作温度更低，进一步提高了效率。

新器件采用2x3mm2MicroFET™封装，为设计人员带来了现有最小的MLP解决方案之一，相比目前常见的解决方案减小40%，显著节省了客户设计的线路板空间。FDMB2307NZ满足RoHS要求，而且具有>2kV的HBM ESD防护功能。

飞兆半导体通过将先进的电路技术集成在微型高级封装中，为便携产品用户提供了重要的优势，同时能够减小设计的尺寸、成本和功率。飞兆半导体的便携IP业已用于现今大部分手机中。