飞兆半导体推出单一P沟道PowerTrench® MOSFET FDMA905P和FDME905PT
时间：2012-02-21 00:56:29
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[导读]21IC讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。FDMA905P和FDME9
21IC讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。
FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有出色的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用。
特性和优势
FDMA905P:
• 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封装，器件高度 – 最大0.8mm
• 确保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A)
• 具有出色的散热性能(RΘJA = 52 ℃/W)
FDME905PT:
• 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封装，器件高度 – 最大0.55mm
• 确保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A)
• 具有出色的散热性能(RΘJA = 60 ℃/W)
FDMA905P和FDME905PT不含卤化物和氧化锑，满足RoHS标准的要求。两款器件均可在低电压下安全运作，适用于手机和超便携设备。
价格：订购1,000个
FDMA905P 每个0.29美元
FDME905PT 每个0.26美元
供货: 按请求提供样品
交货期: 收到订单后8至12周内
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