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[导读]器件的低正向压降减少了功率损耗并提高效率21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16个新款45V、50V、60V、100V和120V器件,扩充其TMBS® Trench MOS势

器件的低正向压降减少了功率损耗并提高效率

21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16个新款45V、50V、60V、100V和120V器件,扩充其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10A至60A的电流等级和极低的正向压降,针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装,封装的占位与D2PAK(TO-263)一致,且典型高度更薄,只有1.7mm。

今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15A下的正向压降只有0.4V,在高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR-ing二极管和电池反向保护等应用中可减少功率损耗并提高效率。最终典型产品包括智能手机、平板电脑充电器、机顶盒、液晶电视机和计算机电源以及ADSL调制解调器。

新款整流器的最高工作结温为+150℃,潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级,LF最高峰值为260℃。器件非常适合自动配置,符合RoHS指令和JEDEC JS709A标准的无卤素规定。

器件规格表:

PD封装的新款TMBS®整流器" />

新款45V、50V、60V、100V和120V TMBS整流器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周。

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