飞兆半导体的阳极短路IGBT荣膺EPC十佳功率产品奖

高压IGBT可减少高功率感应加热应用中的总功率损耗和电路板面积

21ic 飞兆半导体——全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商已荣膺《今日电子(EPC)》主办的第11届年度十佳DC-DC功率产品奖。

这是自飞兆半导体将其高压场截止阳极短路沟道IGBT提交“最佳应用奖”评委会之后，第七次获得这项享有声望的奖项。该奖项表彰的是在性能/成本和市场定位方面获得突出成就的产品。

这些高压场截止阳极短路沟道IGBT产品的电压范围为1,100 V – 1,400 V，利用固有的反并联二极管进行了优化。随着典型非穿通型(NPT) IGBT技术的不断进步，飞兆半导体的阳极短路硅技术可提供更低的饱和电压，比额定功率相同的NPT-Trench IGBT要低12%以上。

此外，如果与竞争对手的IGBT产品相比，该产品系列的拖尾电流速率要低20%以上。由于具有这些丰富特性，飞兆半导体先进的IGBT因而能实现更佳的热性能、更高的效率以及更低的功率损耗。这些器件非常适合要求更低导通损耗和出色开关性能的高功率和高频率感应加热型(IH)家用电器，可实现更高的效率和系统可靠性。

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飞兆半导体的场截止阳极短路沟道IGBT提供业界领先的技术，可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟IC、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分，而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。

十佳DC-DC功率产品奖旨在表彰该领域中显著进步的技术或其应用。该奖项强调创新和出色的性价比，范围涵盖所有功率产品。提交的产品以三个标准加以评估： 某项技术或其应用的显著进步、创新设计和性价比的大幅提升。此外，还有五个独立奖项： 技术突破奖、最佳应用奖、优化开发奖、绿色能源奖以及独立创新奖。