Vishay发布采用新工艺的高性能CMOS模拟开关

器件导通电阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033μW的功耗

21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要低50%，电荷注入最多低80%。这些器件的开关时间为100ns，性能更好，非常适合数据采集、工业控制和自动化、通信、A/V系统，以及医疗设备和自动测试设备中的信号切换和替代继电器。

DG1411、DG1412和DG1413采用了新的CMOS工艺平台，确保在整个模拟信号范围内，保持低开关电阻且曲线平直，提供优异的线性度，因此非常适合低畸变应用，例如采样和保持电路、可编程增益控制电路及A/V信号路由。低导通电阻使这些模拟开关可以替代机械式继电器，成为自动测试设备和需要采用电流开关的应用的首选方案。

DG1411、DG1412和DG1413均具有4路独立的可选通的SPST开关。DG1411的开关是常关的，DG1412是常开的;DG1413有2路开关是常开的，2路是常关的，可以保证操作是先开后合的。器件可以使用单路4.5V～24V供电，或双路±4.5V～±15V电源。模拟开关不需要VL逻辑供电，所有数字输入都有0.8V和2V逻辑门限，可保证与低压TTL/CMOS的兼容性。

器件的最大导通电阻保持在0.48 Ω，CS(OFF)为11pF, CD(ON)为87pF，在信号范围内的电荷注入为-60pC～+135pC。DG1411、DG1412和DG1413是双向开关，在导通时的模拟信号可以达到电源电压，在关断时可以阻断信号。开关符合RoHS，无卤素，采用TSSOP16和4mm x 4mm的QFN16封装。

新模拟开关现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。