Vishay推出通过AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

非对称封装优化低边MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC转换器中可节省空间

21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里，比使用分立MOSFET的方案节省空间，低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。

今天发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET，为降低传导损耗，增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作，具有车内任何位置的应用所需的耐用性和可靠性。器件尤其适用于车载通信娱乐系统，例如收音机和GPS系统。

SQJ940EP和SQJ942EP使设计者能够选用不同的导通电阻值。在10V电压下，SQJ940EP的沟道2低边MOSFET的最大导通电阻为6.4mΩ，沟道1高边MOSFET的导通电阻为16mΩ。与双芯片对称方案相比，SQJ940EP的低边导通电阻低31%，而尺寸同样小巧。SQJ942EP在10V下的最大低边导通电阻为11mΩ，高边MOSFET的导通电阻为22mΩ。

这些MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试，符合RoHS，无卤素。

器件规格表：

封装双芯片MOSFET" />

SQJ940EP和SQJ942EP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。