美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成，

显着提升高压应用的系统效率，并提供最大功效，

帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计

21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用，包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。

美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件，据市场研究机构Yole Développement预计，从2015年至2020年，SiC功率半导体市场的同比增长率将达到39%，而且Market Research预计SiC半导体市场将于2022年达到53亿美元，同比增长率38%。

新型SiC MOSFET器件

全新SiC MOSFET器件采用来自美高森美的专利技术，特别设计以帮助客户开发在更高频率下运行并提升系统效率的解决方案。

美高森美的专利 SiC MOSFET技术特性包括 ：

- 同级最佳的RDS(on)对比温度

- 超低栅极电阻，最大限度减小开关能耗

- 出色的最大开关频率

- 卓越的稳定性和出色的短路耐受性

美高森美功率产品组总经理Marc Vandenberg表示：“美高森美的1200V SiC MOSFET建立了全新的性能基准，我们利用公司内部的SiC制造能力，继续扩大SiC产品组合，为客户提供创新的大功率解决方案。”

美高森美的1200V SiC MOSFET器件的额定电阻为 80mΩ和 50mΩ，通过同时提供行业标准TO-247和SOT-227封装，可为客户提供更多的开发灵活性 ：

- APT40SM120B 1200V、80mΩ、40A、TO-247 封装

- APT40SM120J 1200V、80mΩ、40A、SOT-227封装

- APT50SM120B 1200V、50mΩ、50A、TO-247封装

- APT50SM120J 1200V、50mΩ、50A、SOT-227封装

新型SiC MOSFET功率模块

美高森美SiC MOSFET还可以集成进公司扩展的MOSFET功率模块中，用于电池充电、航空航天、太阳能、焊接和其它大功率工业应用。新的功率模块具有更高的工作频率并提升了系统效率。

新型1700V肖特基二极管

美高森美的 SiC MOSFET器件也与公司完整的SiC肖特基二极管产品系列相辅相成，全新的1700V SiC肖特基二极管将产品线扩展至1200V和650V以上，这些产品设计使用出色的钝化技术，在室外和潮湿应用中实现稳健性。

供货

美高森美现已提供采用TO-247封装的新型1200V SiC MOSFET器件，并将于2014年7月提供SOT-227封装型款，另外，现在也提供SiC MOSFET功率模块和1700V肖特基二极管产品。