宜普电源转换公司推出具有宽间距的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET） 小尺寸可以承载大电流

全新氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2029)进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)的元件可以具备大电流承载能力。

与具有相同的电阻的先进硅功率MOSFET器件相比，EPC2029的尺寸小很多及其开关性能高出很多倍，是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D类音频放大器等应用的理想元件。

开发板

为了简化对这个高效的氮化镓场效应晶体管EPC2029进行评估，EPC推出EPC9046开发板，使得工程师可以容易对EPC2029“在电路中”的性能进行评估。

EPC9046开发板采用半桥拓扑，配备板载栅极驱动器及采用EPC2029氮化镓场效应功率晶体管。该板为2英寸乘2 英寸的开发板，使用了两个eGaN FET、德州仪器的LM5113栅极驱动器、电源及旁路电容。该开关板包含了所有重要元件并采用具备最佳开关性能的布局，而且提供额外的电路板面积给工程师添加降压输出滤波器元件。此外，该板备有多个探孔以帮助工程师测量出简单的波形及计算效率。