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[导读]eGaN功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能,从而实现具备更高的功率密度的转换器。宜普

eGaN功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能,从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN®FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为200 A及200 V的EPC2034的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

这些产品采用具有1 mm间距的焊球,进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔,使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)实现大电流承载能力。

开发板

为了简化对这些高效的氮化镓场效应晶体管进行评估,EPC推出EPC9047开发板,使得工程师可以容易对EPC2033“在电路中”的性能进行评估。该开关板包含了所有重要元件以易于与任何转换器连接。

EPC9047开发板采用半桥拓扑,尺寸为2英寸乘1.5英寸。该板含两个EPC2033 eGaN FET、采用德州仪器的UCC27611栅极驱动器、电源及旁路电容。该开关板配备了所有重要元件并采用可实现最优开关性能的布局及备有多个探孔以帮助工程师测量出简单的波形及计算效率。

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