专为符合A4WP Rezence 标准的无线电源传送应用而设的EPC eGaN 功率集成电路在效率及成本方面树立全新基准
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全新EPC2107及EPC2108 eGaN功率集成电路包含单片半桥式器件及集成式自举功能,专为符合无线充电联盟(A4WP)第二及第三级规范的解决方案而设。此外,为了让客户容易对氮化镓元件进行评估,我们也提供开发板及包含发射器及接收器的无线电源传送解决方案。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含集成式自举功能的场效应晶体管的eGaN半桥功率集成电路 EPC2107(100 V)及EPC2108 (60 V)。该集成电路去除了由栅极驱动器所引致的反向恢复损耗,也不需高侧箝位。这是首次在eGaN功率电路中集成了一个自举场效应晶体管。
这些产品专为谐振式无线电源传送应用而设计,可快速设计出高效的终端系统,为无线电源传送应用的普及做好准备。此外,这些氮化镓功率集成电路使用超小型的芯片封装方式,缩小了整个系统的尺寸。由于这些全新晶片系列可减少整体的组件数量,因此它的成本可以更低 -- 一个氮化镓器件相对于三个场效应晶体管!
Rezence无线电源技术标准
虽然市场上有多种无线电源传送的标准,无线充电联盟(A4WP)的Rezence技术和规范为作为终端用户的消费者提供了优越的特性及功能诸如充电时的空间自由度, 使一台终端不需精确地摆放在充电板上。此外,充电范围宽泛,使消费者可以随时随地“放下设备,即可充电”。该标准也可以对具备不同功率条件的设备同时充电。再者,符合Rezence技术及规范的无线电源系统可以在有金属物件诸如钥匙、辅币及用具的情况下对设备充电,使之成为车载、零售及家具应用的理想选择。
总括来说,Rezence技术及规范所提供的灵活性及性能标准为大众市场带来理想的无线充电技术,其新兴市场的份额在2020年可达156亿美元。
宜普电源转换公司的氮化镓器件在该市场为主要供应商之一。宜普公司在2012年推出首个适用于无线电源传送应用的eGaN FET,我们除了设计符合A4WP Rezence规范的功率产品外,也出版了专门解答有关设计无线电源系统的问题诸如多模式操作及符合EMI要求的《无线电源手册》。
宜普电源转换公司的全新产品及其优势
集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及间隙空间。单一个集成式功率组件可以提高效率(尤其是在更高频时)及功率密度而同时降低无线电源系统设计师的终端产品的组装成本。
这些器件采用芯片封装方式(1.35 mm X 1.35 mm),可缩小尺寸、加快开关速度及提高散热性能,从而增加功率密度。
无线电源演示系统
宜普电源转换公司也推出无线电源传送演示系统及开发板以帮助工程师容易对EPC2107 及EPC2108 eGaN功率集成电路进行评估。
符合A4WP第三级(EPC9113)及第二级(EPC9114)的无线功率演示系统包含三个组件:
ZVS D类发射板(放大器)
- Rezence第二级:EPC9114演示系统套件含EPC9510开发板及采用100 V的EPC2107
eGaN FET。
- Rezence第三级:EPC9113演示系统套件含EPC9509开发板及采用60 V的EPC2108
eGaN FET。
符合Rezence第二级及第三级标准的发射(传送)线圈
符合Rezence第三类标准的接收板(包含线圈)
EPC9113无线电源演示套件符合A4WP第三级标准,可工作在6.78 MHz频率时对一个DC负载传送高达16 W电源(也可以调节至工作在13.56 MHz 频率)。EPC9114演示套件符合A4WP第二级标准并传送10 W电源。演示套件旨在帮助工程师在高效无线电源传送应用简化对氮化镓场效应晶体管进行评估的过程。两个套件都采用具备高频开关性能的宜普公司氮化镓晶体管以实现设计高效无线电源传送系统。
如果客户使用自己设计的线圈,各种发射板(或放大器)可以独立购买:EPC9509 (采用60 V的 EPC2108) 与 EPC9510 (采用100 V的 EPC2107).
产品价格及供貨详情
产品型号 |
说明 |
价格 |
采用集成式bootstrap FET 的100 V单片半桥式器件 |
$0.89 (每一千片批量的单价) |
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无线电源演示套件 |
单价为$895.00 |
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ZVS D类发射板(放大器) |
单价为$418.95 |
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采用集成式bootstrap FET 的60 V单片半桥式器件 |
$0.85 (每一千片批量的单价) |
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无线电源演示套件 |
单价为$895.00 |
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ZVS D类发射板(放大器) |
单价为$418.95 |
所有产品可透过北高智科技公司及Digi-Key公司购买。
宜普电源转换公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、光学遥感技术(LiDAR)及D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。详情请浏览我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn 。
客户可以在我们的网页注册(http://bit.ly/EPCupdates),定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。