意法半导体（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效

21ic讯 意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统(HVAC)电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关(hard-switching)电路拓扑20kHz功率转换应用。

采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)低损耗制造工艺，M系列IGBT有一个全新沟栅(trench gate)和特殊设计的P-N-P垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点，从而能够大幅提升晶体管的整体性能。在150°C初始高结温时，最小短路耐受时间为6µs，175°C最大工作结温及宽安全工作范围有助于延长元器件的使用寿命，同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。

此外，新产品的封装还集成了新一代续流二极管(Free-wheeling Diode)。新二极管提供快速恢复功能，并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的EMI保护功能，同时可以有效降低开关损耗。正VCE(sat)温度系数，结合紧密的参数分布，使新产品能够安全并联，并满足更大功率的要求。

M系列产品的主要特性：

· 650V IGBT，大部分竞争产品为600V;

· 低VCE(sat) (1.55V @25°C) 电压，能够最大限度降低导通损耗;

· 出色的稳健性，拥有广泛的安全工作范围以及无闩锁现象(latch-free operation);

· 业内最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比;

· 175°C最大工作结温;

· 高温短路耐受时间最短6µs;

· 电压过冲有限，确保关断期间无振荡;

最新发布的M系列拥有10A及30A两种可选额定电流，提供各种功率封装选择，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL长脚封装，与意法半导体针对高频工业应用研发的HB系列650V IGBT(高达60 kHz)相互补充。新产品已开始量产。