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[导读]艾迈斯半导体公司晶圆代工事业部今日宣布进一步扩展其行业领先的0.35μm高压CMOS专业制程平台。基于该高压制程平台的先进“H35”制程工艺,使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效节省空间并提升设备性能的电压可拓展的晶体管。

 电压可拓展的高压晶体管器件有效节省空间、提升设备性能,使单晶圆包含更多裸片

艾迈斯半导体公司晶圆代工事业部今日宣布进一步扩展其行业领先的0.35µm高压CMOS专业制程平台。基于该高压制程平台的先进“H35”制程工艺,使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效节省空间并提升设备性能的电压可拓展的晶体管。

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新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶体管器件针对20V至100V范围内的各种漏源电压进行了优化,显著降低了导通电阻,因此可节省器件空间。在电源管理应用中,用优化的30V NMOS晶体管代替固定的50V晶体管可节省近一半的空间;与标准的120V NMOS晶体管相比,优化的60V NMOS器件可节省22%的空间。开发大型驱动器及开关IC等复杂高压模拟/混合信号应用的晶圆代工客户能立即在单晶圆中包含更多裸片。

这些可节省空间的器件适用于一系列应用,如可用于汽车、医疗和工业领域的MEMS驱动器、马达驱动器、开关、电源管理IC等。艾迈斯半导体晶圆代工事业部也因此成为全球首家为晶圆代工客户提供电压可拓展晶体管的公司。艾迈斯半导体的解决方案完全符合汽车(ISO/TS 16949)和医疗(ISO 13485)行业的各项规范认证,可为客户提供高质量的产品和服务,满足客户的各种严格要求。

艾迈斯半导体晶圆代工事业部总经理Markus Wuchse表示:“成为全球首家可提供电压可拓展晶体管的企业证明了艾迈斯半导体开发专业高压CMOS制程工艺的实力和卓越的制造服务。我们也十分期待未来能与开发先进高压产品的公司携手合作。艾迈斯半导体知名的制程设计套件以及高压制程专业技术使我们的合作伙伴得以优化其高压集成电路,节省器件空间、降低导通电阻,从而使每片晶圆包含更多裸片。”

最新拓展的高压制程平台进一步支持艾迈斯半导体“不仅仅是硅”的创新计划,通过该计划艾迈斯半导体可以提供一系列技术模块、知识产权、元件库、工程咨询及服务,以其专业技术帮助客户顺利开发先进的模拟和混合信号电路。

注册用户可从艾迈斯半导体晶圆代工事业部的安全服务器(http://asic.ams.com)获取所有电压可拓展晶体管的信息,包括布局发生器(Pcells)、仿真模型、Calibre及Assura芯片验证板、设计规则及制程工艺参数等文档资料。

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