大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET

2016年1月5日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果特别显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严苛的能效目标要求。

新款600V MDmesh M2 EP产品整合ST经市场验证的条形布局(strip layout)和全新进化的垂直结构与优化的扩散制程(diffusion process)，拥有优秀的开关设计，包括极低的导通电阻和关机开关损耗，是特别为超频功率转换器(f> 150 kHz)专门设计，为要求最严苛的电源供应器(PSU，Power Supply Unit)的理想选择。

图示1-大联大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

硬开关和软开关电路拓扑均适用，包括谐振拓扑(resonant topologies)，例如LLC谐振，新器件的开关损耗极低，特别是在低负载条件下，低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的闸极电荷(Qg)极低外，M2 EP产品的关机能耗(Eoff )还可降低20%，而在硬开关转换器中，关机损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗，有助于提高低负载能效，进而协助电源厂商顺利达成日益严苛的能效认证要求。

升级后的关机波形(turn-off waveforms)可提高谐振转换器的能效、降低噪声，每周期回收再利用更多电能，而不是以散热的形式浪费掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性：

极低的闸极电荷(Qg低至16 nC)

针对轻负载条件优化电容曲线(capacitance profile)

针对软件开关优化Vth和Rg参数

稳健的本体二极管(body diode)

MDmesh M2 EP系列锁定需要高能效的电源应用，提供多种封装选择(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247)，所有产品均已量产。