EPC可靠性测试报告记录了超过170亿小时测试器件的可靠性的现场数据 结果表明器件的失效率很低

EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠，为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。

宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告，展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果，以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得的现场评估的结果是一致的，证明在商业化的功率开关应用中，eGaN FET已经准备好可以替代日益老化的等效硅基器件。

宜普公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow说：「要能验证全新技术的可靠性是一个重大的挑战。EPC非常重视所有产品的可靠性。本阶段的测试结果及报告表明，由于EPC的氮化镓产品具备必备的可靠性，因此是替代硅基技术的首选半导体器件。」

本报告阐述我们对eGaN FET进行广泛的应力测试的结果。这些测试同样是对硅基功率MOSFET进行的典型测试方法，以证明eGaN FET在各种应力测试条件下，可否符合JEDEC的最新标准。各种测试包括：

·高温反向偏置[(HTRB)

·高温栅极偏置[(HTGB)

·温度循环(TC)

·高温高湿反向偏置[(H3TRB)

·早期寿命失效率(ELFR)

·间歇工作寿命(IOL)

EPC公司持续地对器件进行广泛的测试。结果表明，各种器件的固有技术及所具备的环保优势都是可信赖的。第一至第七阶段的可靠性测试报告可以在我们的网站找到，网址是www.epc-co.com.cn.