EPC发布第九阶段可靠性测试报告 记录了受测的氮化镓器件全部通过数百万个器件-小时的应力测试而没有发生故障

 宜普电源转换公司发布第九阶段可靠性测试报告，记录受测器件在累计超过900万个器件-小时的应力测试后,没有发生故障。该报告聚焦电路板热机械可靠性，首次描述焊点的完整性的预测模型，以及与可比的封装器件相比，展示出采用晶圆级芯片规模封装(WLCSP)的氮化镓晶体管具备卓越的可靠性。

宜普电源转换公司的第九阶段可靠性测试报告表明所有受测的器件都通过了严谨的热机械可靠性测试。我们过去已发布了八份关于产品可靠性的测试报告，第九阶段可靠性测试报告进一步累积与氮化镓技术相关的知识，以及实现我们的承诺，与工程师分享对氮化镓技术的学习研究。

宜普公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow博士说：「要展示全新技术的可靠性是一个重大的挑战。我们非常重视所有产品的可靠性。第九阶段可靠性测试报告阐述我们采用晶圆级芯片规模封装的氮化镓产品无论在可靠性、成本及性能方面都比硅基元件优越，是替代硅技术的首选半导体技术。丢弃封装的时候终于来临了。」

EPC公司的场效应晶体管(FET)及集成电路采用晶圆级芯片规模封装(WLCSP)，可以提高性能、降低成本及把元件的占板面积减至最小而同时提高可靠性。WLCSP具备优越的散热性能，于终端应用中焊接器件到PCB时，这是非常重要的。 第九阶段可靠性测试报告主要阐述电路板热机械可靠性。

所选的受测器件采用不同的封装尺寸及焊接工位的布局和配置，并且使用预测焊点的完整性的模型。客户可以利用本报告所述的热机械应力模型来预测器件于各种特定最终应用中的可靠性。在与最终应用相关的任意压力条件下，客户可利用焊点应变之间的相关性和器件的热疲劳寿命，利用模型来预测热循环引致的器件故障。

从这九份可靠性报告所累计的资料可以看到，eGaN FET及集成电路是非常可靠的器件，以及在目前的终端产品的合理寿命内，eGaN FET及集成电路的失效概率是非常低的。与硅器件相比，报告描述了氮化镓技术具备卓越的性能、成本及可靠性，丢弃采用较低可靠性封装的硅器件、转用芯片级氮化镓场效应晶体管及集成电路的时候终于来临了。