提高稳压器过流保护能力的 MOSFET
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当负载电流增加时,R1两端的电压随之升高,从而使Q2导通,并使Q1的栅极偏压下降。当Q1栅极偏压下降时,Q1的导通电阻增加,并按IMAX=VBEQ2/R1,即约为0.6V/1Ω来限制流入IC1的电流。
正如 LM317的应用指南说明所说,电阻器R5和R6设定IC1的输出电压。改变R1的阻值,就可以将电路的限制电流从数毫安调至 LM317 的最大承受电流。二极管D1和D2分别可预防电容性负载放电和极性接反。根据电路的要求,IC1和Q1可能需要使用散热器。